李宏建
研究方向为光电子与信息材料及其应用。
个性化签名
- 姓名:李宏建
- 目前身份:
- 担任导师情况:
- 学位:
-
学术头衔:
博士生导师
- 职称:-
-
学科领域:
材料科学基础学科
- 研究兴趣:研究方向为光电子与信息材料及其应用。
李宏建,男,1963年8月出生,博士,教授。2000年毕业于湖南大学材料物理与化学专业,获得博士学位。主要从事应用物理学专业教学和科研工作,研究方向为光电子与信息材料及其应用。承担和完成国家自然科学基金、湖南省自然科学基金课题多项,现主持湖南省自然科学基金杰出青年基金一项、参加包括973项目在内的各级科研课题多项,发表科研论文约60余篇,被国际三大检索收录30余篇次。
-
主页访问
1300
-
关注数
0
-
成果阅读
436
-
成果数
8
【期刊论文】聚合物电致发光器件中用类金刚石碳膜增强电子注入*
李宏建, 闫玲玲, 黄伯云, 易丹青, 胡锦, 何英旋, 彭景翠
半导体学报,2006,27(1):30~33,-0001,():
-1年11月30日
用正丁胺作碳源,采用射频辉光等离子系统制备类金刚石碳膜(DLC),沉积在聚合物发光器件中的发光层(MEH-PPV)和铝(Al)阴极间作电子注入层。制备了结构为ITO/MEH-PPV/DLC/Al的不同DLC厚度的器件,测量了器件的I2V特性亮度及效率,研究了DLC层对器件电子注入性能影响的机制。结果表明:当DLC厚度小于110nm时,其器件有较ITO/MEH2PPV/Al 高的启动电压和低的发光效率;当DLC厚度在110~510nm之间时,器件的性能随着DLC厚度增加而变好;当DLC厚度为510nm时,器件具有最低的启动电压与最高的发光效率;当DLC厚度继续增加时,器件的性能随着DLC 厚度增加而变差。并对ITO/MEH-PPV/DLC/Al和ITO/MEH-PPV/LiF/Al的器件性能进行了比较研究。
类金刚石碳膜, 聚合物发光器件, 电子注入增
-
30浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
97下载
-
0评论
-
引用
李宏建, 李宏建), 彭景翠), 许雪梅), ), 瞿述), 夏辉)
光学学报,2002,22(2):186~189,-0001,():
-1年11月30日
根据PVK掺杂后荧光谱的变化,说明掺杂PVK薄膜的电致发光存在着从基质分子向掺杂分子的能量传递,用一个由单链模型扩展到包括杂质的哈密顿量进行数值求解,结果表明:在PVK和杂质分子之间有效的能量传递是源于它们之间的电荷转移,且随着杂质浓度的变化,其荧光谱峰位的移动与掺杂前后系统总能量的改变及荧光谱强度与掺杂后转移的电荷数之间分别存在对应关系。该模型较好地解释了有关的实验结果。
荧光谱, 电荷转移, 能量传递
-
60浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
80下载
-
0评论
-
引用
李宏建, 李宏建), 彭景翠), 许雪梅)), 瞿述), 夏辉)
物理学报,2001,50(11):430~433,-0001,():
-1年11月30日
对聚合物发光器件中极化子激子的形成与解离过程进行了详细探讨,提出了极化子激子解离的理论模型及解离概率的解析式,分析了激子解离后正、负极化子的输运过程,认为是极化子的链司跃迁实现了聚合物的电导,计算并讨论了内量子效率随外加电场、温度及杂质浓度的变化关系该模型较好地解释了有关实验现象
聚合物发光器件,, 极化子激子,, 激子解离,, 内量子效率
-
89浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
92下载
-
0评论
-
引用
李宏建, 李宏建), 彭景翠), 许雪梅), 瞿述), 夏辉), 罗小华)
物理学报,2002,51(2):430~433,-0001,():
-1年11月30日
以高场作用下载流子对三角势垒的Fowler-Nordheim隧穿理论为基础,建立了单层有机电致发光器件中载流子输运和复合发光模型。给出了薄膜中电子-空穴对的解离和复合概率及电子和空穴的密度分布。计算并讨论了外加电压和注入势垒对器件电流和复合效率的影响。
电致发光器件,, 载流子输运,, 载流子复合
-
36浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
103下载
-
0评论
-
引用
李宏建, , 易丹青, 黄伯云, 彭景翠
光子学报,2003,32(12):1446~1449,-0001,():
-1年11月30日
通过分析聚合物电致发光器件中载流子注入、输运、激子的解离与复合过程,提出了激子解离与复合的理论模型。基于电流连续性方程和Poisson方程,给出了激子复合密度、电流密度及复合效率表达式1研究两电极与有机层之间在Ohmic和Fowler-Nordheim 接触条件下载流子迁移率对器件中激子的复合密度及外加电压和注入势垒对器件电流和复合效率的影响1 结果表明:1)在一个较宽的注入势垒和迁移率范围内,复合密度不是由两个注入电极的相对注入比决定而是由有机层电子和空穴迁移率之比所支配;2)固定阴极势垒,而阳极势垒由小变大时,器件电流由接触限制向空间电荷限制转变;3)复合效率随外电压升高先增加,当电压达一临界值时而陡降,存在一个最佳的注入势垒值。结果说明:电极与有机层的能带匹配及有机层间的迁移率匹配对器件复合发光有着极其重要的影响。其计算值与所报道的理论结果相符。
电致发光, 注入势垒, 载流子迁移率, 复合密度
-
53浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
62下载
-
0评论
-
引用
李宏建, 朱儒晖, 黄伯云, 易丹青, 彭景翠
电子学报,2006,(10):1933~1936,-0001,():
-1年11月30日
考虑电荷的注入、无序系统中载流子的输运及极化子激子的解离和复合过程,建立了单层有机电致发光器件电致发光效率的理论模型。计算并讨论了离化距离对器件复合效率以及注入和复合对器件电致发光效率的影响。结果表明:(1)通过降低金属/有机物界面势垒可以显著提高器件的EL效率;(2)当两电极均为欧姆接触或一个电极欧姆接触,一个电极是接触限制时,在低场下EL效率由注入决定,而高场下复合起主要作用;(3)当两电极均为接触限制时,EL效率主要由注入过程来决定。此模型可以较好地解释一些实验现象。
有机电致发光器件, 电致发光效率, 注入效率, 复合效率
-
56浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
42下载
-
0评论
-
引用
【期刊论文】金属/有机界面势垒对单层有机电致发光器件发光效率的影响
李宏建, 赵楚军, , *, 黄伯云, 易丹青, 姚凌江, 许雪梅, 彭景翠
发光学报,2004,25(4):401~406,-0001,():
-1年11月30日
基于高场下电荷的注入过程及激子的解离和复合过程,建立了单层有机发光器件电致发光(EL)效率的理论模型。计算表明:(1)当金属/有机界面势垒高度大于0.3eV时,器件的EL效率很低,降低金属/有机界面势垒可以显著提高器件的EL效率;(2)在较低偏压下,注入过程对器件的电致发光效率起主要作用,但在高偏压下复合过程起支配作用。这一模型可以阐明注入和复合过程对有机发光器件EL 效率的影响,对选择发光材料、优化器件结构和提高器件EL 效率具有指导意义。
有机电致发光器件, 金属/, 有机界面, 势垒高度, 电致发光效率
-
60浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
30下载
-
0评论
-
引用
李宏建, 许雪梅, , 彭景翠, 瞿述, 赵楚军
光谱学与光谱分析,2004,24(1):12~14,-0001,():
-1年11月30日
提出了双层有机电致发光二极管ITO/PPV/PPBD/Ca复合的理论模型。计算并讨论了温度和电压对其复合效率的影响:在电压为6~715V时,复合效率随温度变化出现两个峰值,但随着电压升高,两峰值相互靠拢,当电压达到9V时,峰值位置重叠,我们认为这一现象除了浅缺陷能级和深缺陷能级贡献的结果以外,还由于复合区域发生变化引起的。该模型较好地解释了有关实验现象。
有机发光二极管, 复合效率, 缺陷能级, 复合区域
-
52浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
67下载
-
0评论
-
引用