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【期刊论文】聚合物电致发光器件中用类金刚石碳膜增强电子注入*
李宏建, 闫玲玲, 黄伯云, 易丹青, 胡锦, 何英旋, 彭景翠
半导体学报,2006,27(1):30~33,-0001,():
-1年11月30日
用正丁胺作碳源,采用射频辉光等离子系统制备类金刚石碳膜(DLC),沉积在聚合物发光器件中的发光层(MEH-PPV)和铝(Al)阴极间作电子注入层。制备了结构为ITO/MEH-PPV/DLC/Al的不同DLC厚度的器件,测量了器件的I2V特性亮度及效率,研究了DLC层对器件电子注入性能影响的机制。结果表明:当DLC厚度小于110nm时,其器件有较ITO/MEH2PPV/Al 高的启动电压和低的发光效率;当DLC厚度在110~510nm之间时,器件的性能随着DLC厚度增加而变好;当DLC厚度为510nm时,器件具有最低的启动电压与最高的发光效率;当DLC厚度继续增加时,器件的性能随着DLC 厚度增加而变差。并对ITO/MEH-PPV/DLC/Al和ITO/MEH-PPV/LiF/Al的器件性能进行了比较研究。
类金刚石碳膜, 聚合物发光器件, 电子注入增
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引用
李宏建, 李宏建), 彭景翠), 许雪梅), ), 瞿述), 夏辉)
光学学报,2002,22(2):186~189,-0001,():
-1年11月30日
根据PVK掺杂后荧光谱的变化,说明掺杂PVK薄膜的电致发光存在着从基质分子向掺杂分子的能量传递,用一个由单链模型扩展到包括杂质的哈密顿量进行数值求解,结果表明:在PVK和杂质分子之间有效的能量传递是源于它们之间的电荷转移,且随着杂质浓度的变化,其荧光谱峰位的移动与掺杂前后系统总能量的改变及荧光谱强度与掺杂后转移的电荷数之间分别存在对应关系。该模型较好地解释了有关的实验结果。
荧光谱, 电荷转移, 能量传递
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引用
李宏建, 李宏建), 彭景翠), 许雪梅)), 瞿述), 夏辉)
物理学报,2001,50(11):430~433,-0001,():
-1年11月30日
对聚合物发光器件中极化子激子的形成与解离过程进行了详细探讨,提出了极化子激子解离的理论模型及解离概率的解析式,分析了激子解离后正、负极化子的输运过程,认为是极化子的链司跃迁实现了聚合物的电导,计算并讨论了内量子效率随外加电场、温度及杂质浓度的变化关系该模型较好地解释了有关实验现象
聚合物发光器件,, 极化子激子,, 激子解离,, 内量子效率
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引用
李宏建, 李宏建), 彭景翠), 许雪梅), 瞿述), 夏辉), 罗小华)
物理学报,2002,51(2):430~433,-0001,():
-1年11月30日
以高场作用下载流子对三角势垒的Fowler-Nordheim隧穿理论为基础,建立了单层有机电致发光器件中载流子输运和复合发光模型。给出了薄膜中电子-空穴对的解离和复合概率及电子和空穴的密度分布。计算并讨论了外加电压和注入势垒对器件电流和复合效率的影响。
电致发光器件,, 载流子输运,, 载流子复合
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引用
李宏建, , 易丹青, 黄伯云, 彭景翠
光子学报,2003,32(12):1446~1449,-0001,():
-1年11月30日
通过分析聚合物电致发光器件中载流子注入、输运、激子的解离与复合过程,提出了激子解离与复合的理论模型。基于电流连续性方程和Poisson方程,给出了激子复合密度、电流密度及复合效率表达式1研究两电极与有机层之间在Ohmic和Fowler-Nordheim 接触条件下载流子迁移率对器件中激子的复合密度及外加电压和注入势垒对器件电流和复合效率的影响1 结果表明:1)在一个较宽的注入势垒和迁移率范围内,复合密度不是由两个注入电极的相对注入比决定而是由有机层电子和空穴迁移率之比所支配;2)固定阴极势垒,而阳极势垒由小变大时,器件电流由接触限制向空间电荷限制转变;3)复合效率随外电压升高先增加,当电压达一临界值时而陡降,存在一个最佳的注入势垒值。结果说明:电极与有机层的能带匹配及有机层间的迁移率匹配对器件复合发光有着极其重要的影响。其计算值与所报道的理论结果相符。
电致发光, 注入势垒, 载流子迁移率, 复合密度
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