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于威

（1）硅基材料制备及生长动力学研究方向。（2）超硬材料制备及生长机理研究方向。（3）纳米Si、SiC薄膜制备及发光特性研究方向。

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姓名：于威
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学位：
学术头衔：

博士生导师
职称：-
学科领域：

光学
研究兴趣：（1）硅基材料制备及生长动力学研究方向。（2）超硬材料制备及生长机理研究方向。（3）纳米Si、SiC薄膜制备及发光特性研究方向。

个人简介

　于威，1965年出生，博士毕业于河北大学光学专业。毕业后一直在河北大学物理系激光研究所从事教学与科研工作。作为主研人员近几年完成河北省自然科学基金项目二项，项目总体水平达到国际先进水平。1997年获河北省科技进步三等奖一项。1998年获河北省青年科技奖。近年来在《物理学报》、《中国激光》、《光谱学与光谱分析》等重要学术刊物上发表学术论文30余篇。
　　主要成果：（1）硅基材料制备及生长动力学研究方向：在低温（<1000℃）条件下实现了晶态碳化硅薄膜生长，通过分子动力学模拟分析揭示了粒子载能对碳化硅生长辅助低温生长的物理机制，为该材料的低温外延生长研究奠定了基础。（2）超硬材料制备及生长机理研究方向：实现了晶态C3N4薄膜的脉冲放电等离子体辅助激光沉积，为相关材料合成和进一步的机理研究提供了新的手段；揭示了该薄膜材料在硅衬底上的从非晶到晶态再到晶态SiCN薄膜的相变规律，对该材料及相关材料的工艺研究提供了参考数据。（3）纳米Si、SiC薄膜制备及发光特性研究方向：实现了适合硅基纳米薄膜制备的螺旋波等离子体化学气相沉积技术，得到了纳米硅、纳米碳化硅及镶嵌在氮化硅基质中的纳米硅等结构薄膜，获得了近红外-可见室温可见发光纳米硅薄膜及可见-紫外室温发光的纳米碳化硅薄膜的沉积工艺条件。纳米碳化硅发光机制研究为该材料高效发光探索提供了基础数据。

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2009-07-10

【期刊论文】Growth of Nanocrystalline Silicon Films by Helicon Wave Plasma Chemical Vapour Deposition*

于威， YU Wei**， WANG Bao-Zhu， LU Wan-Bing， YANG Yan-BinHAN Li， FU Guang-Sheng

Vol.21, No.7(2004)1320-1322，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

Nanocrystalline silicon (nc-Si) thin films have been prepared by a helicon-wave plasma chemical vapour deposition technique on glass-Si substrates. The structural properties and the surface morphology are characterized by Raman spectroscopy, x-ray diffraction and atomic force microscopy. It is proven that the deposited films have the features of high crystalline fraction and large grain size compared with that in the normal plasma-enhanced chemical vapour deposition regime. The crystalline fraction of the deposited films varying from 0% to 72% can be obtained by adjusting the substrate temperature.

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2009-07-10

【期刊论文】Process of Energetic Carbon Atom Deposition on Si (001) Substrate by Molecular Dynamics Simulation*

于威， YU Wei， TENG Xiao-Yun， LI Xiao-Wei， FU Guang-Sheng

Vol.19. No.4(2002)492-494，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

The process of energetic C atom deposition on Si (001)-(2

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2009-07-10

【期刊论文】脉冲激光退火纳米碳化硅的光致发光

于威，何杰，孙运涛，韩理，傅广生

光谱学与光谱分析，2005，25（4）：506～508，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

采用XeCl准分子脉冲激光退火技术制备了纳米晶态碳化硅薄膜（nc-SiC），并对薄膜的光致发光（PL）特性进行了分析。结果表明，纳米SiC薄膜的光致发光表现为300～600nm 范围内的较宽发光谱带，随退火激光能量密度的增加，nc-SiC薄膜398nm附近的发光峰相对强度增加，而470nm附近发光峰相对减小。根据nc-SiC 薄膜的结构特性变化，认为这两个发光峰分别来源于6H-SiC导带到价带间的复合发光和缺陷态发光，并且这两种发光过程存在竞争。

光致发光，激光退火，碳化硅

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2009-07-10

【期刊论文】碳化硅薄膜脉冲激光晶化特性研究*

于威，于威†，何杰，孙运涛，朱海丰，韩理，傅广生

物理学报，2004，53（6）：1930～1934，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

采用XeCl准分子激光对非晶碳化硅（a-SiC）薄膜的脉冲激光晶化特性进行了研究。通过原子力显微镜（AFM）和Raman 光谱技术对退火前后薄膜样品的形貌、结构及物相特性进行了分析。结果表明，选用合适的激光能量采用激光退火技术能够实现a-SiC薄膜的纳米晶化。退火薄膜中的纳米颗粒大小随着激光能量密度的增加而增大；Raman谱分析结果显示了退火后的薄膜的晶态结构特性并给出了伴随退火过程存在的物相分凝现象。根据以上结果并结合激光退火特性，对a-SiC的脉冲激光晶化机理进行了讨论。

激光退火,，晶化,，碳化硅

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2009-07-10

【期刊论文】螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜*

于威，刘丽辉，侯海虹，丁学成，韩理，傅广生

物理学报，2003，52（3）：687～691，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

利用螺旋波等离子体增强化学气相沉积（HWP2CVD）技术，以SiH4和N2为反应气体进行了氮化硅（SiN）薄膜沉积，并研究了实验参量对薄膜特性的影响。利用傅里叶变换红外光谱、紫外—可见光谱和椭偏光检测等技术对薄膜的结构、厚度和折射率等参量进行了测量。结果表明，采用HWP-CVD技术能在低衬底温度条件下以较高的沉积速率制备低H含量的SiN薄膜，所沉积的薄膜主要表现为Si-N键合结构。采用较低的反应气体压强将提高薄膜沉积速率，并使薄膜的致密性增加。适当提高N2/SiH4比例有利于薄膜中H含量的降低。

螺旋波等离子体，化学气相沉积，氮化硅薄膜