Resonant tunneling diodes (RTD) are considered as one of the most promising band-gap engineering heterostructure devices for negative differential resistance (NDR) feature in the current–voltage trace. In this letter, a p-well SiGe/Si RTD is proposed and demonstrated. Its I V relationship is obtained by Keithley 4200 semiconductor parameter analyzer, and NDR feature can be observed obviously at room temperature. The obtained peak current density is 45.92 kA/cm2, and peak to valley current ratio (PVCR) is 2.21. Considering the influence of series resistance on the I V relationship, the DC-parameter of RTD was extracted from the experimental data. This work is helpful to improve the performance of RTD and design of RTD-based circuits.

采用U HV/ CVD 方法在Si (100) 衬底上生长了多层的自组织Ge 量子点，用AFM对量子点的形貌和尺寸分布进行了研究。材料的低温(10 K) PL 谱测试表明，由于量子点的三维限制作用，跟体材料的Ge 相比，Ge 量子点的NP 峰表现出87 meV的蓝移。在此基础上，流水制作了p-i-n 结构的量子点红外探测器。室温下，测得其在1. 31μm 和1. 55μm 的响应度分别为0. 043mA/ W 和0. 001 4 mA/ W，覆盖了体Si 探测器所不能达到的响应范围。

用超高真空化学气相淀积系统在Si（100）衬底上生长了多层Ge量子点。分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸，研究了量子点层数和Si隔离层厚度对上层Ge量子点的形状和尺寸分布的影响。观察到样品的低温PL 谱线有明显蓝移（87meV），Ge量子点的PL谱线的半高宽度（FWHM）为46meV，说明采用UHV/CVD生长的多层量子点适合量子光电器件的应用。