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2005年02月25日

【期刊论文】应变Si沟道异质结NMOS晶体管*

陈培毅，史进，黄文涛

半导体学报，2002，23（7）：685～689，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

通过参数调整和工艺简化，制备了应变Si沟道的SiGeNMOS晶体管。该器件利用弛豫SiGe缓冲层上的应变Si层作为导电沟道，相比于体Si器件在1V栅压下电子迁移率最大可提高48.5%。

应变， SiGe，跨导，迁移率

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2005年02月25日

【期刊论文】多晶发射极双台面微波功率SiGeHBT*

陈培毅，刘志农，熊小义，黄文韬，李高庆，张伟，许军，刘志弘，林惠旺，许平，钱佩信

半导体学报，2003，24（9）：897～901，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500，并生长了器件级SiGeHBT材料。研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT器件，其性能为：β=60@VCE/IC=9V/300μA，β=100@5V/50mA，BVCBO=22V，ft/fmax=5.4GHz/7.7GHz@10指，3V/10mA多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷,该工艺总共只有6步光刻，CMOS工艺兼容且（因多晶发射极）无需发射极外延层的生长，这些优点使其适合于商业化生产。利用60指和120指的SiGeHBT制作了微波锗硅功率放大器。60指功放在900MHz和315V/012A偏置时在1dB压缩点给出P1dB/Gp/PAE=22dBm/11dB/26.1%。120指功放900MHz工作时给出了Pout/Gp/PAE=33.3dBm （211W）/10.3dB/33.9%@11V/0.52A.

锗硅，异质结双极晶体管，微波功率放大器

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2005年02月25日

【期刊论文】多层Ge量子点的生长及其光学特性*

陈培毅，邓宁，王吉林，黄文韬，李志坚

半导体学报，2003，24（9）：951～954，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

用超高真空化学气相淀积系统在Si（100）衬底上生长了多层Ge量子点。分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸，研究了量子点层数和Si隔离层厚度对上层Ge量子点的形状和尺寸分布的影响。观察到样品的低温PL 谱线有明显蓝移（87meV），Ge量子点的PL谱线的半高宽度（FWHM）为46meV，说明采用UHV/CVD生长的多层量子点适合量子光电器件的应用。

超高真空化学气相淀积，多层锗量子点， PL谱

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2007年11月29日

【期刊论文】基于磁动力学方程的电流感应磁化翻转效应的宏观模型

陈培毅，任敏，张磊，胡九宁，邓宁

物理学报2007年5月第56卷第5期/ACTA PHYSICA SINICA May., 2007, Vol. 56, No. 5，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

提出了一个基于磁动力学方程的宏观唯象理论模型，对纳米级赝自旋阀结构的电流感应磁化翻转效应给出了明晰的物理解释：流入自由层的净自旋流和自由层内的自旋弛豫过程的共同作用，导致自由层总磁矩随时间的改变，甚至产生磁化方向的翻转。模型将“铁磁/非铁磁”界面的自旋相关散射，以及铁磁层中的自旋积累和弛豫过程，统一于宏观的磁动力学方程中。通过求解该方程的解析解，给出了赝自旋阀在电流激励下的磁化翻转条件和临界电流密度的表达式。对该效应的定性解释和数值模拟结果都和实验报道良好符合。根据模型分析了影响临界电流密度的诸因素，并指出提高器件性能的途径。

电流感应磁化翻转，磁动力学方程，自旋电子学

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2007年12月22日

【期刊论文】UHV/CVD 硅锗膜的Raman光谱分析

陈培毅

，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

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