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2009年05月14日

【期刊论文】The effect of irradiation on IR peaks in corundum at about 2850, 2920 and 2955cm-1

吴志明， Zhiming Wu)， Yadong Jiang， Guangzhong Xie， Xiangdong Cheng， Dan Li， Tao Wang

Sensors and Actuators B 66(2000)293-295，-0001，（）：

-1年11月30日

The IR transmission spectrum of the irradiated and unirradiated doped corundum is analyzed in this paper. Three new IR peaks have been found. The peaks notably intensified in the spectrum of proton irradiated sample. However, in the spectrum of the sample irradiated by an atomic reactor, the peaks of the doped Cu sample notably intensified only. It shows that the (OH.) vibration and cation void in the crystal relate the peaks. It is concluded that the doping Cu in the crystal would affect seriously the crystal quality.

Corundum， Infrared spectrum， Defect， Irradiation

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2009年05月14日

【期刊论文】磁控溅射氧化钒薄膜的研究

吴志明，蒋亚东，牟宏，谢光忠，王波

《功能材料》，2001，10（增刊）：1437～1438，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

本文讨论了在低温磁控溅射沉积氧化钒薄膜的特性。采用金属钒作为靶材，利用反应磁控溅射工艺制备了氧化钒薄膜，在适当的Ar:O比例条件下，通过改变溅射总压，溅射时间，溅射温度等工艺参数，探索了氧化钒的成膜工艺。并分析了不同工艺条件对薄膜方阻，薄膜电阻温度特性的影响，最后对样品进行了XPS分析，结果表明适当控制溅射氧化钒的工艺条件可以在较低温度下形成VOX，并具有较好的电特性。

氯化钒，溅射制备， XPS分析

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2009年05月14日

【期刊论文】氧化钒热敏特性研究

吴志明，蒋亚东，牟宏，黄春华

仪器仪表学报，2001，24（4）：237～238，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

采用金属钒作为靶材，利用反应磁控溅射工艺制备了氧化钒薄膜。分析了改变溅射总压，溅射时间，溅射温度等工艺参数对薄膜电特性的影响，探索了氧化钒的成膜工艺。并讨论了不同工艺条件下薄膜方阻，薄膜电阻温度特性。最后对样品进行了XPS分析。

氧化钒，薄膜，电阻温度系数

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2009年05月14日

【期刊论文】导电聚合物PEDT对固体钽电解电容器性能的影响

吴志明，卢斐，徐建华，陈健，毛云武

电子元件与材料，2005，24（2）：51～53，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

采用具有高导电率（1-500S/cm）、热稳定性好的导电聚合物PEDT（聚3，4-乙烯二氧噻吩）取代MnO2，在固体钽电解电容器芯子上制作PEDT 阴极层。主要研究了化学聚合条件对电容器性能的影响，结果显示聚合温度对电容器的损耗有一定的影响；氧化剂与单体的体积比保持在3~6范围内有利于降低Res值，达到0.02-0.08Ω，并改善了钽电容器的频率特性。

电子技术，导电聚合物PEDT，钽电解电容器，化学聚合，频率特性