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吴志明

光电敏感材料及器件，电子聚合物材料及器件、敏感材料与传感器等。

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姓名：吴志明
目前身份：
担任导师情况：
学位：
学术头衔：

博士生导师
职称：-
学科领域：

制糖技术
研究兴趣：光电敏感材料及器件，电子聚合物材料及器件、敏感材料与传感器等。

个人简介

　吴志明，教授，博士生导师，1983年本科毕业于四川大学物理系，1988年硕士研究生毕业于四川大学物理系固体物理专业，1993年博士研究生毕业于华中理工大学固体电子学系电子材料与元器件专业，获博士学位。1993年来电子科技大学任教至今。现任光电信息学院教授。
　　近年来的主要研究方向为：光电敏感材料及器件，电子聚合物材料及器件、敏感材料与传感器等，负责和承担了国家自然科学基金及部、省重点科研项目10余项，已通过部、省级鉴定（获验收）8项。2004年入选教育部新世纪优秀人才资助计划，成都市优秀专家，近年来在其相关领域取得了一系列重要研究成果，主要有四川省科技进步二等奖2项，国防科技进步三等奖2项，四川省科技进步三等奖1项,成都市科技进步奖2项。在国内外重要刊物发表学术论文40余篇，被SCI,EI，ISTP等检索30余篇次, 2002年入选第四批四川省学术和学科带头人后备人选。

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2009-05-14

【期刊论文】The effect of irradiation on IR peaks in corundum at about 2850, 2920 and 2955cm-1

吴志明， Zhiming Wu)， Yadong Jiang， Guangzhong Xie， Xiangdong Cheng， Dan Li， Tao Wang

Sensors and Actuators B 66(2000)293-295，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

The IR transmission spectrum of the irradiated and unirradiated doped corundum is analyzed in this paper. Three new IR peaks have been found. The peaks notably intensified in the spectrum of proton irradiated sample. However, in the spectrum of the sample irradiated by an atomic reactor, the peaks of the doped Cu sample notably intensified only. It shows that the (OH.) vibration and cation void in the crystal relate the peaks. It is concluded that the doping Cu in the crystal would affect seriously the crystal quality.

Corundum， Infrared spectrum， Defect， Irradiation

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2009-05-14

【期刊论文】磁控溅射氧化钒薄膜的研究

吴志明，蒋亚东，牟宏，谢光忠，王波

《功能材料》，2001，10（增刊）：1437～1438，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

本文讨论了在低温磁控溅射沉积氧化钒薄膜的特性。采用金属钒作为靶材，利用反应磁控溅射工艺制备了氧化钒薄膜，在适当的Ar:O比例条件下，通过改变溅射总压，溅射时间，溅射温度等工艺参数，探索了氧化钒的成膜工艺。并分析了不同工艺条件对薄膜方阻，薄膜电阻温度特性的影响，最后对样品进行了XPS分析，结果表明适当控制溅射氧化钒的工艺条件可以在较低温度下形成VOX，并具有较好的电特性。

氯化钒，溅射制备， XPS分析

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2009-05-14

【期刊论文】氧化钒热敏特性研究

吴志明，蒋亚东，牟宏，黄春华

仪器仪表学报，2001，24（4）：237～238，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

采用金属钒作为靶材，利用反应磁控溅射工艺制备了氧化钒薄膜。分析了改变溅射总压，溅射时间，溅射温度等工艺参数对薄膜电特性的影响，探索了氧化钒的成膜工艺。并讨论了不同工艺条件下薄膜方阻，薄膜电阻温度特性。最后对样品进行了XPS分析。

氧化钒，薄膜，电阻温度系数

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2009-05-14

【期刊论文】导电聚合物PEDT对固体钽电解电容器性能的影响

吴志明，卢斐，徐建华，陈健，毛云武

电子元件与材料，2005，24（2）：51～53，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

采用具有高导电率（1-500S/cm）、热稳定性好的导电聚合物PEDT（聚3，4-乙烯二氧噻吩）取代MnO2，在固体钽电解电容器芯子上制作PEDT 阴极层。主要研究了化学聚合条件对电容器性能的影响，结果显示聚合温度对电容器的损耗有一定的影响；氧化剂与单体的体积比保持在3~6范围内有利于降低Res值，达到0.02-0.08Ω，并改善了钽电容器的频率特性。

电子技术，导电聚合物PEDT，钽电解电容器，化学聚合，频率特性