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2009年07月10日

于威，刘丽辉，侯海虹，丁学成，韩理，傅广生

物理学报，2003，52（3）：687～691，-0001，（）：

-1年11月30日

利用螺旋波等离子体增强化学气相沉积（HWP2CVD）技术，以SiH4和N2为反应气体进行了氮化硅（SiN）薄膜沉积，并研究了实验参量对薄膜特性的影响。利用傅里叶变换红外光谱、紫外—可见光谱和椭偏光检测等技术对薄膜的结构、厚度和折射率等参量进行了测量。结果表明，采用HWP-CVD技术能在低衬底温度条件下以较高的沉积速率制备低H含量的SiN薄膜，所沉积的薄膜主要表现为Si-N键合结构。采用较低的反应气体压强将提高薄膜沉积速率，并使薄膜的致密性增加。适当提高N2/SiH4比例有利于薄膜中H含量的降低。

螺旋波等离子体，化学气相沉积，氮化硅薄膜

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2009年07月10日

【期刊论文】Process of Energetic Carbon Atom Deposition on Si (001) Substrate by Molecular Dynamics Simulation*

于威， YU Wei， TENG Xiao-Yun， LI Xiao-Wei， FU Guang-Sheng

Vol.19. No.4(2002)492-494，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

The process of energetic C atom deposition on Si (001)-(2

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2009年07月10日

【期刊论文】脉冲激光退火纳米碳化硅的光致发光

于威，何杰，孙运涛，韩理，傅广生

光谱学与光谱分析，2005，25（4）：506～508，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

采用XeCl准分子脉冲激光退火技术制备了纳米晶态碳化硅薄膜（nc-SiC），并对薄膜的光致发光（PL）特性进行了分析。结果表明，纳米SiC薄膜的光致发光表现为300～600nm 范围内的较宽发光谱带，随退火激光能量密度的增加，nc-SiC薄膜398nm附近的发光峰相对强度增加，而470nm附近发光峰相对减小。根据nc-SiC 薄膜的结构特性变化，认为这两个发光峰分别来源于6H-SiC导带到价带间的复合发光和缺陷态发光，并且这两种发光过程存在竞争。

光致发光，激光退火，碳化硅

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2009年07月10日

【期刊论文】Growth of Nanocrystalline Silicon Films by Helicon Wave Plasma Chemical Vapour Deposition*

于威， YU Wei**， WANG Bao-Zhu， LU Wan-Bing， YANG Yan-BinHAN Li， FU Guang-Sheng

Vol.21, No.7(2004)1320-1322，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

Nanocrystalline silicon (nc-Si) thin films have been prepared by a helicon-wave plasma chemical vapour deposition technique on glass-Si substrates. The structural properties and the surface morphology are characterized by Raman spectroscopy, x-ray diffraction and atomic force microscopy. It is proven that the deposited films have the features of high crystalline fraction and large grain size compared with that in the normal plasma-enhanced chemical vapour deposition regime. The crystalline fraction of the deposited films varying from 0% to 72% can be obtained by adjusting the substrate temperature.

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2009年07月10日

【期刊论文】碳化硅薄膜脉冲激光晶化特性研究*

于威，于威†，何杰，孙运涛，朱海丰，韩理，傅广生

物理学报，2004，53（6）：1930～1934，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

采用XeCl准分子激光对非晶碳化硅（a-SiC）薄膜的脉冲激光晶化特性进行了研究。通过原子力显微镜（AFM）和Raman 光谱技术对退火前后薄膜样品的形貌、结构及物相特性进行了分析。结果表明，选用合适的激光能量采用激光退火技术能够实现a-SiC薄膜的纳米晶化。退火薄膜中的纳米颗粒大小随着激光能量密度的增加而增大；Raman谱分析结果显示了退火后的薄膜的晶态结构特性并给出了伴随退火过程存在的物相分凝现象。根据以上结果并结合激光退火特性，对a-SiC的脉冲激光晶化机理进行了讨论。

激光退火,，晶化,，碳化硅

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