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2005年08月05日

吴顺华，李辉亮，吴国桥，董向红

天津大学学报，1997，30（5）：653～657，-0001，（）：

-1年11月30日

用普通的电子陶瓷工艺制备了PbO-SrO-BaO-Nb，Os（PSBN）系统铁电陶瓷，研完了PSBN系统铁电陶瓷的介电性能与烧结温度的关系。XRD分析表明：PSBN系统铁电陶瓷的主晶相是Pb0.7Ba0.3Nb2O6（PBN）、Sr0.5Ba0.5Nb3O6（SBN）和Ba0.27Sr0.75Nb2O5.78（BSN）将这一个复杂的化学系统看作三元素固熔体，其中PBN、SBN和BSN各相比倒随烧结温度的不同而变化，引起PSBN系统电性能的变化。当烧结温度升高时，介电系统增大，居里温度向负温方向移动。

烧结，铁电陶瓷，介电性能

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2005年08月05日

【期刊论文】Fe, Ni掺杂（Zr, sn）TiO4陶瓷的结构和介电性能

吴顺华，陈力颖，董向红

无机材料学报，2002，17（3）：504～508，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

用电子陶瓷工艺制备主晶相为（Zr，Sn）TiO4的介电陶瓷，（Zr，Sn）TiO4的结构属正交晶系，空间群Pbcn。研究用Fe，Ni掺杂对（Zr，Sn）TiO4陶瓷的介电性能的影响：铁掺杂降低了瓷料的烧结温度。同时减小了系统的Q值(Q=1/tgδ)；但在一定的范围内，随着Ni掺杂量的增大，Q值的下降被抑制，这可能是因为Ni离子阻碍了Fe离子扩散进入晶粒，使得Fe离子富集在晶界上，形成Fe-Ni尖晶石结构，减少了Fe对Q值的影响。

（Zr,， Sn)， TiO4，介电性能， Ni掺杂， Fe掺杂

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2005年08月05日

【期刊论文】(Ba1-xSrx)(Mg1/3Ta2/3)O3微波陶瓷介电性能研究

吴顺华，刘丹丹，王伟

硅酸盐学报，2004，32（6）：679～683，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

Ba（Mg1/3Ta2/3）O3（简称BMT）陶瓷是A（B'1/3B''2/3)03（A=Ba，Sr；B'=Zn，Mg；B=Nb，Ta）型复合钙钛矿化合物中的一种。A位由sr离子取代Ba离子，形成（Ba1-xSrx）（Mg1/3Ta2/3）O3（简称BSMT）固溶体型化合物，也具有复合钙钛矿结构。sr含量z≥0.6时发生相转变，形成一种新的低温相，这是由于氧八面体畸变造成的。这种低温相结构与BMT六方晶系结构相比具有较低的对称性。低温相的形成，可显著降低BSMT陶瓷的烧结温度，在1500℃即可烧结致密（BMT为1600℃）。BSMT的微观结构和介电性能（如介电常数ε和介电常数温度系数αε）的变化也与此相转变有关。

复合钙钛矿化合物，低温相，微观结构，介电性能

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2005年08月05日

【期刊论文】(Zr0.7Sn0.3) TiO4陶瓷介电性能与工艺参数关系的回归分析

吴顺华，王国庆，赵玉双，刘丹丹

无机材料学报，2003，18（4）：892～898，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

用回归分析方法得到了（Zr0.7Sn0.3）TiO4陶瓷的介电性能ε和δ与其工艺参数（CuO、ZnO）和玻璃的添加置（分别为x1、x2、x3 wt%）及预烧和烧结温度（分别为x4×103和x5×103℃）之间的定量关系：ε=10.9731-1.4559x+9.9154x2+1.9776x3-3.3160x22-0.2286x23-200.1697x24-161.9102x25+375.1160x4x5；Ig（tanδ）=-38.5876-0.6452x2+0.1235x3+31.2221x4+30.3861x5+0.1100x21+0.2077x22-0.0106x23-27.4317x4x5。能对给定工艺参数下的介电性能进行预测，并能确定满足特定介电性能的工艺参数，有助于加快电子陶瓷材料的研究。

回归分析， (， Zr0.， 7Sn0.， 3)， TiO4，介电性能

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2005年08月05日

【期刊论文】Mn掺杂BaTi409陶瓷结构和介电性能

吴顺华，陈力颖，陈晓娟，赵玉双，张志萍，熊文

硅酸盐学报，2001，29（1）：80～83，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

用电子陶瓷工艺制备主晶相为BaTi4O9（BT4）的介电陶瓷，研究用锰掺杂的BaTh09陶瓷的结构和介电性能。XRD研究表明BaTi409属正交晶系，空间群pmmn，晶格常数为α=1.453nm，b=0.379nm，c=0.629 nm，每个原胞有两个分子，钛原子位于变形的氧八面体之中。这种氧八面体的极化类似于或大于在BaTiO3和PbTiO3铁电相观察到的极化。锰掺杂极大地增强了Q值，在1 M14z下测得的Q值为12500而没有掺杂的陶瓷有高的损耗，这可能是由于在空气中烧结时形成Ti3+，显然锰的作用是在缺陷平衡中作为一种补偿剂，依据反应：Mn3+Ti3+→Mn2++Ti4+，可能有助于Ti4+的形成。Bari4O9陶瓷具有优良的介电性能：低介质损耗、中等介电常数和低的介电常数温度系数此种陶瓷制造成多层陶瓷电容器开拓了一种新的应用领域。

介电性能，锰掺杂，主晶相，四钛酸钡

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