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2005年08月05日

吴顺华， Shunhua Wu *， Guoqing Wang， Yushuang Zhao， Hao Su

Journal of the European Ceramic Society 23(2003)2565-2568，-0001，（）：

-1年11月30日

In this paper, the structure and ielectric properties of BaO-TiO2 system ceramics were studied. By adding ZnO and Nb2O5 as sintering agents to the raw materials, the BaO-TiO2 system ceramics were sinteredat a temperature of 1260℃ for 2 hand have superior dielectric properties at 1 GHz: quality factor Q=12,500, relative dielectric constant "r37, temperature coefficient of dielectric constant "=0.30 ppm/℃. XRD pattern shows that the main crystal phase of the ceramics is Ba2Ti9O20, accompanied by a small number of additional phases: BaTi4O9, Ba4Ti13Zn7O34, Ba4Ti13O30 andTi 2Nb10O29, etc. The initial Ba/Ti ratio has a great effect on the dielectric properties of the ceramics, which can be explained by the variance in the formation of phases due to different Ba/Ti ratios.

Dielectric properties， Microwave ceramics， Sintering， X-ray methods， BaO-TiO2

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2005年08月05日

【期刊论文】无压渗透法制备SiC颗粒增强铝基复合材料的研究*

吴顺华，石锋，钱端芬

天津大学学报，2003，36（4）：418～423，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

利用无压渗透法制备出SiCp/Al复合材料，研究了SiCp/Al系统的界面微观结构及复合材料的机械性能。研究表明：SiCp/Al系统的界面处存在着界面反应，生成Si、Al2O3和Al3C4等产物，在界面处存在着Si和Mg元素的富集；复合材料的机械性能受界面反应和Si元素富集的影响，其中界面反应是最重要的影响因素。当界面反应控制在一定程度时，在基体与增强相的界面处形成比较充分的“机械绞合”，才会使复合材料的机械性能有较大提高。界面上Si元素的富集对机械性能的影响较为复杂，一方面它可以控制界面反应的过度发生，另一方面又会产生晶格畴变，这两方面效应的叠加，使之对复合材料机械性能的影响减弱，远小于界面反应对机械性能的影响。

无压渗透法， SiCp/， Al复合材料，界面反应，微观结构，机械性能， Si元素富集

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2005年08月05日

【期刊论文】(Zr0.7Sn0.3) TiO4陶瓷介电性能与工艺参数关系的回归分析

吴顺华，王国庆，赵玉双，刘丹丹

无机材料学报，2003，18（4）：892～898，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

用回归分析方法得到了（Zr0.7Sn0.3）TiO4陶瓷的介电性能ε和δ与其工艺参数（CuO、ZnO）和玻璃的添加置（分别为x1、x2、x3 wt%）及预烧和烧结温度（分别为x4×103和x5×103℃）之间的定量关系：ε=10.9731-1.4559x+9.9154x2+1.9776x3-3.3160x22-0.2286x23-200.1697x24-161.9102x25+375.1160x4x5；Ig（tanδ）=-38.5876-0.6452x2+0.1235x3+31.2221x4+30.3861x5+0.1100x21+0.2077x22-0.0106x23-27.4317x4x5。能对给定工艺参数下的介电性能进行预测，并能确定满足特定介电性能的工艺参数，有助于加快电子陶瓷材料的研究。

回归分析， (， Zr0.， 7Sn0.， 3)， TiO4，介电性能

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2005年08月05日

【期刊论文】Mn掺杂BaTi409陶瓷结构和介电性能

吴顺华，陈力颖，陈晓娟，赵玉双，张志萍，熊文

硅酸盐学报，2001，29（1）：80～83，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

用电子陶瓷工艺制备主晶相为BaTi4O9（BT4）的介电陶瓷，研究用锰掺杂的BaTh09陶瓷的结构和介电性能。XRD研究表明BaTi409属正交晶系，空间群pmmn，晶格常数为α=1.453nm，b=0.379nm，c=0.629 nm，每个原胞有两个分子，钛原子位于变形的氧八面体之中。这种氧八面体的极化类似于或大于在BaTiO3和PbTiO3铁电相观察到的极化。锰掺杂极大地增强了Q值，在1 M14z下测得的Q值为12500而没有掺杂的陶瓷有高的损耗，这可能是由于在空气中烧结时形成Ti3+，显然锰的作用是在缺陷平衡中作为一种补偿剂，依据反应：Mn3+Ti3+→Mn2++Ti4+，可能有助于Ti4+的形成。Bari4O9陶瓷具有优良的介电性能：低介质损耗、中等介电常数和低的介电常数温度系数此种陶瓷制造成多层陶瓷电容器开拓了一种新的应用领域。

介电性能，锰掺杂，主晶相，四钛酸钡