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熊绍珍
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期刊论文
有机发光器件中缺陷态行为表现*
光电子. 激光，2002，13（5）：446～449，-0001，（）：
摘要/描述
对有机发光二极管（OL ED）的I2V特性曲线，用有内建电场Ei的修正F2N模型，或陷阱电荷限制电流（TCL）模型进行了模拟分析，均观察到缺陷态对器件特性的影响。对修正F2N模型拟合，Ei不是常数而是随电场变化的；对满足TCL 模型的OLED器件，其I2V特性呈现类似于无机半导体器件中的“迟滞回线”状，而且随测试次数的变化呈现可恢复的变化。这些均说明OLED中存在着缺陷态。用缺陷态上电荷填充状态的变化对上述现象进行了解释。
【免责声明】以下全部内容由[熊绍珍]上传于[2005年11月18日 17时55分45秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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