熊绍珍，学者主页-中国科技论文在线

熊绍珍

个性化签名

TA的关注(0) 关注TA的(0)

留言板

暂无留言

主页成果学术会议学者精选辑更多功能敬请期待

姓名：熊绍珍
目前身份：
担任导师情况：
学位：
学术头衔：

博士生导师，
职称：-
学科领域：

能源科学技术
研究兴趣：

个人简介

熊绍珍，1979年与孙钟林共同组建南开大学非晶半导体研究组。1980年公派赴美国作访问学者，进行非晶硅（a-Si）材料及太阳电池研究。回国后在国内率先开展非晶硅的掺杂与a-Si PIN电池以及Ⅰ型、Ⅱ型集成电池的研究。用该类电池组装的电池板及应用系统，被教委选派参加国家科委主办的“六五”科技成果展。在国内最先开发出集成电池用激光刻划专用机，承担“七五”国家科委大面积a-Si集成电池攻关项目，获“集体立功”奖励，主持的两项成果（太阳电池激光刻划机以及I-V特性自动测试分析系统）通过国家教委专家鉴定。作为南开大学“973”主要申请人之一，提出宽谱域叠层电池概念，于2000年10月获得国家科技部“低价长寿命光伏电池重大基础研究”项目，指导该项03课题——微晶硅及其叠层电池的研究。
“八五”期间，拓展a-Si研究至薄膜晶体管（TFT）及其在有源选址显示或探测技术中应用方向，分别主持国家计委及天津市科委关于非晶硅薄膜晶体管有源选址液晶显示（a-Si TFT AM-LCD）的“八五”科技攻关项目以及国家基金a-Si TFT-PIN面阵选址项目。1992年有5项成果通过天津市科委专家鉴定。所研制的a-Si TFT性能达到国际同期先进水平。其间获光华基金三等奖及天津市教育系统先进教师奖励。2000年基金结题获“优”的评语。
作为南开大学“211”和“985”重点学科建设项目“薄膜光电子技术”的负责人，积极推进光电子所学科建设。1998年组建南开大学OLED研究小组。从1999至2001年，作为主持人或指导者，连续获三项国家基金和一项天津市基金。作为组织者，推动并申请获得国家科技部“863”计划项目2002和2004年两期平板显示专项中彩色OLED有源驱动技术的研究课题。通过合作，研制出国内第一块彩色有源选址的OLED屏。2004年3月通过了科技部“863”一期验收，有四项成果通过教育部专家鉴定，评语均是“国际先进水平”。由此成果，随后获“863”二期和2005年国家基金委重点基金“有机发光显示屏poly-Si TFT关键技术研究”项目。2004年作为第一完成人获得天津市科技进步奖（自然科学）二等奖。授得三项发明专利，正申请四项发明专利（在公示中）。在此期间，在国内权威杂志和国内、外重要学术会议上发表文章近百篇，其中约1/3被EI、SCI收录。

主页访问

6572
关注数

0
成果阅读

399
成果数

7

TA的成果

上传时间

2005-11-18

【期刊论文】聚合物发光器件中输运特性的模拟分析*

熊绍珍， XIONG Shao-zhen， ZHAO Ying， WU Chun-ya， HAO Yun， WANG Yue， CHEN You-su， YANG HuI-dong， and ZHOU Zhen-hua， YU Gang

半导体学报，2001，22（9）：1171～1181，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现，被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和“迟滞回线”状场致漂移的伏安特性。模拟分析表明，一种反向势垒的存在及其击穿，应是引起负阻现象的原因。缺陷态的存在及其电荷填充的变化，是导致I-V特性曲线随偏压扫描方向变化的主要原因。而低场下的接触性能决定着发光二级管载流子的输运性质：若为非欧姆接触，则I-V曲线可用F-N隧穿模型来描述；若为欧姆接触，则应用陷阱电荷限制电流（TCL ）模型来描述。

聚合物发光二极管，负阻现象，反向势垒， F2N隧穿模型，陷阱电荷限制电流 (， TCL)，模型

45浏览
0点赞
0收藏
0分享
199下载
0评论
引用

上传时间

2005-11-18

【期刊论文】有机发光器件中缺陷态行为表现*

熊绍珍， XIONG Shao-zhen， WU Chuan-ya， HAO Yun， CHEN You-su， YANG Hu I-dong，， ZHOU Zhen-hua， ZHANG LI-zhu

光电子. 激光，2002，13（5）：446～449，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

对有机发光二极管（OL ED）的I2V特性曲线，用有内建电场Ei的修正F2N模型，或陷阱电荷限制电流（TCL）模型进行了模拟分析，均观察到缺陷态对器件特性的影响。对修正F2N模型拟合，Ei不是常数而是随电场变化的；对满足TCL 模型的OLED器件，其I2V特性呈现类似于无机半导体器件中的“迟滞回线”状，而且随测试次数的变化呈现可恢复的变化。这些均说明OLED中存在着缺陷态。用缺陷态上电荷填充状态的变化对上述现象进行了解释。

有机发光二极管（OL ED）， "，迟滞回线"，效应，缺陷态， F2N隧穿模型，陷阱电荷限制电流 (， TCL)，

59浏览
0点赞
0收藏
0分享
201下载
0评论
引用

上传时间

2005-11-18

【期刊论文】甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si：H薄膜中氧污染的初步研究*

熊绍珍， Yang Hui-Dong)))+， Wu Chun-Ya)， Zhao Ying)， Xue Jun-Ming)， Geng Xin-Hua)， Xiong Shao-Zhen)

物理学报，2003，52（11）：2866～2869，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

对不同的本底真空条件下，采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅（μc-Si：H）薄膜中的氧污染问题进行了比较研究。对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明：μc-Si：H 薄膜中，氧以Si-O，O-O和O-H三种不同的键合模式存在，不同的键合模式源自不同的物理机理。μc-Si：H 薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示：沉积过程中氧污染程度的不同，对μc-Si：H 薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响；而不同氧污染对μc-Si：H 薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅（a-Si：H）薄膜。

氢化微晶硅薄膜，甚高频等离子体增强化学气相沉积，氧污染

56浏览
0点赞
0收藏
0分享
253下载
0评论
引用

上传时间

2005-11-18

【期刊论文】聚合物发光二极管中可逆的不稳定行为*

熊绍珍， LIU En-feng， XIONG Shao-zhen， ZHAO Ying， XIE Wei-liang， WU Chun-ya， ZHOU Zhen-hua， HU Jing-kang， ZHANG Wen-wei， SHEN Jin-yuan， CHEN Jian-sheng， ZHANG Yuan-yue， and ZHANG LI-zhu

半导体学报，2000，21（6）：581～585，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

研究了存在于聚合物发光二极管（PL ED）中的一种可逆的“负阻”现象及短期衰退行为.当加在PLED上的正向偏压大于10V之后，其电流和发光强度将在某偏压下出现突然的转折，即电流或光强骤增而器件上压降减小。“负阻”现象将随测量次数的增加而逐渐消失。采用CCD摄像头摄取发光象素上发光的变化情况的图像，发现光强的突变与电流的突变是相对应的。对以不同极性脉冲偏置观察发光光强的短期衰退情况时发现，反向偏置有助于抑制正向的发光衰退行为。我们初步认为这些现象可能与PLED中存在的缺陷态及其上电荷的填充状况有关。

有机发光二极管，负阻效应，可恢复的短期衰退，界面处的缺陷

60浏览
0点赞
0收藏
0分享
202下载
0评论
引用

上传时间

2005-11-18

【期刊论文】微晶硅PIN/OLED红外光上转换器件

熊绍珍， LI Juan， WU Chun-ya， YANG Guang-hua， ZHAO Ying， MENG Zhi-guo， ZHOU Zhen-hua， XlONG Shao-zhen， ZHANG Li-zhu

《半导体光电》，2004，25（2）：101～104，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

提出了一种用于红外传感/显示的光一光转换器件——微晶硅PIN/OLED红外光上转换器件。详细描述了其工作原理及相关光转换的功能，并对其进行了理论模拟，结果表明它是一种可具有上转换功能、集光传感器和显示器于一体的新型器件。

微晶硅PIN/， OLED，理论模拟，红外上转换，光耦合器件

75浏览
0点赞
0收藏
0分享
127下载
0评论
引用

上传时间

2005-11-18

【期刊论文】辉光功率对VHF-PECVD制备的硅基薄膜特性的影响

熊绍珍， ZHANG Xiao-dan， ZHAO Ying， ZHU Feng， WEI Chang-chun， SUN Jian， HOU Guo-fu， XUE Jun-ming， GENG Xin-hua， XIONG Shao-zhen

人工晶体学报，2004，33（4）663～666，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

本文主要研究了用VHF-PECVD方法制备的不同辉光功率条件下系列硅薄膜样品。喇曼测试结果显示：在不同硅烷浓度（SC）条件下，非晶到微晶的过渡区发生在不同的功率点；暗电导随晶化率也体现出不同的变化，此结果表明不同SC、不同功率制备样品的结构特性和电学特性的内在规律是不同的；另外，扫描电子显微镜的测试结果表明样品的表面呈“菜花”状和剖面为柱状的结构特征。

甚高频等离子体增强化学气相沉积，过渡区，微区喇曼光谱，扫描电子显微镜