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熊绍珍
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期刊论文
聚合物发光器件中输运特性的模拟分析*
半导体学报，2001，22（9）：1171～1181，-0001，（）：
摘要/描述
对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现，被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和“迟滞回线”状场致漂移的伏安特性。模拟分析表明，一种反向势垒的存在及其击穿，应是引起负阻现象的原因。缺陷态的存在及其电荷填充的变化，是导致I-V特性曲线随偏压扫描方向变化的主要原因。而低场下的接触性能决定着发光二级管载流子的输运性质：若为非欧姆接触，则I-V曲线可用F-N隧穿模型来描述；若为欧姆接触，则应用陷阱电荷限制电流（TCL ）模型来描述。
【免责声明】以下全部内容由[熊绍珍]上传于[2005年11月18日 17时56分08秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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