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熊绍珍
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期刊论文
甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si：H薄膜中氧污染的初步研究*
物理学报，2003，52（11）：2866～2869，-0001，（）：
对不同的本底真空条件下，采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅（μc-Si：H）薄膜中的 氧污染问题进行了比较研究。对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光 谱测量结果表明：μc-Si：H 薄膜中，氧以Si-O，O-O和O-H三种不同的键合模式存在，不同的键合模式源自不同 的物理机理。μc-Si：H 薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示：沉积过程中氧污染程度的不同，对μc-Si：H 薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响；而不同氧污染对μc-Si：H 薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅（a-Si：H）薄膜。
【免责声明】以下全部内容由[熊绍珍]上传于[2005年11月18日 17时55分07秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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