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衣立新
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期刊论文
Ce3+注入对超晶格中硅纳米晶光致发光强度的影响
光谱学与光谱分析，2009，29（6）：1486～1488，-0001，（）：
研究了铈离子注入和二次退火等因素对硅纳米晶（nc-Si）发光强度的影响。利用电子束蒸发以及高温退火得到nc-Si/SiO2超晶格结构。随后将该结构样晶分别注入2.0×10 14cm2和2.0×10 15cm-2剂量的铈离子（Ce3+），再分别以不同温度对其进行二次退火，获得多种样品。通过对样品光敏发光光谱的分析发现，Ce3+注入后未经过二次退火的样品发光强度急剧下降。二次退火后的样品，随着退火温度的升高，样品的光致发光强度逐渐增强。但当温度超过600℃时，发光强度反而下降，600℃为二次退火的最佳退火温度。注入适当剂量的Ce3+，其发光强度可以超过未注入时的发光强度，Ce3+的注入存在饱和剂量。研究表明，样品发光强度的变化受到铈离子注入剂量和注入后二次退火温度等因素的影响，并且存在着Ce3+到nc-Si的能量传递。
【免责声明】以下全部内容由[衣立新]上传于[2010年02月28日 10时21分58秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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