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衣立新

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姓名：衣立新
目前身份：
担任导师情况：
学位：
学术头衔：
职称：-
学科领域：

材料科学基础学科
研究兴趣：

个人简介

　衣立新，女，现任北京交通大学副教授。1989.9—1992.7 中国科学院长春物理研究所获硕士学位；1992.8—1998.8 广东康惠半导体有限公司工程部经理； 1998.9—2001.7 北京交通大学光电子技术研究所获博士学位；2001.9—2003.8 德国 Max-Planck 微结构物理研究所博士后；2003.9 至今北京交通大学光电子技术研究所副教授。

研究领域：
　　1、硅基纳米半导体发光材料和器件及其在全硅光电集成方面的应用。
　　2、稀土掺杂的纳米材料及其在光纤通讯和信息显示方面的应用。
　　3、半导体记忆器件及其在信息存储方面的应用。
　　4、有机和无机电致发光器件及其材料的激发态过程研究。

论文及著作：
　　已在国内外知名期刊上发表学术论文20余篇，其中以第一作者发表在 Appl.Phys.Lett.等SCI检索刊物上的学术论文已多次被引用。

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TA的成果

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2010-02-28

【期刊论文】Ce3+注入对不同尺寸的nc-Si/SiO2超晶格发光特性的影响

衣立新，杜琦瑶，衣立新*，王申伟，邬洋

发光学报，2009，30（3）：417～420，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

通过电子束蒸发方法以及高温退火处理，得到nc-Si/SiO2超晶格。将样品分别注入剂量为2.0×10 14cm-2和2.0×10 15cm-2的Ce3+，再对其进行二次退火处理，获得多组样品。通过对样品光致发光光谱的分析发现，样品发光强度的变化不仅受到Ce+3注入剂量的影响，而且也受到nc-Si颗粒大小的影响。在相同注入计量和相同的二次退火处理温度下，nc-Si颗粒较大的样品经Ce3+注入后其发光强度增强较为明显。

超晶格，硅纳米晶， Ce3+，注入，光致发光

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2010-02-28

【期刊论文】Ce3+注入对超晶格中硅纳米晶光致发光强度的影响

衣立新，杜玙瑶，衣立新*，王申伟，邬洋

光谱学与光谱分析，2009，29（6）：1486～1488，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

研究了铈离子注入和二次退火等因素对硅纳米晶（nc-Si）发光强度的影响。利用电子束蒸发以及高温退火得到nc-Si/SiO2超晶格结构。随后将该结构样晶分别注入2.0×10 14cm2和2.0×10 15cm-2剂量的铈离子（Ce3+），再分别以不同温度对其进行二次退火，获得多种样品。通过对样品光敏发光光谱的分析发现，Ce3+注入后未经过二次退火的样品发光强度急剧下降。二次退火后的样品，随着退火温度的升高，样品的光致发光强度逐渐增强。但当温度超过600℃时，发光强度反而下降，600℃为二次退火的最佳退火温度。注入适当剂量的Ce3+，其发光强度可以超过未注入时的发光强度，Ce3+的注入存在饱和剂量。研究表明，样品发光强度的变化受到铈离子注入剂量和注入后二次退火温度等因素的影响，并且存在着Ce3+到nc-Si的能量传递。

超晶格，硅纳米晶，铈，离子注入，光致发光

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2010-02-28

【期刊论文】SiO/SiO2超晶格结构界面发光的研究

衣立新，王申伟，衣立新*，何桢，胡峰，王永生

光谱学与光谱分析，2009，29（5）：1197～1200，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

利用热蒸发技术在硅衬底上制备了层厚不同的SiO/SiO2超晶格样品。对其光致发光谱进行研究发现，随着SiO/SiO2超晶格中SiO层厚度的增加，发光峰在400～600nm之间移动。研究表明，样品的发光中心来自于SiO/SiO2界面处的缺陷发光（界面态发光）。即在样品沉积的过程中，在SiO/SiO2的界面处由于晶格的不连续性，会形成大量的Si-O悬挂键，这些悬挂键本身相互结合可以形成一定数量的缺陷，同时由于O原子容易脱离Si原子的束缚而产生扩散。因此，这些悬挂键可以与扩散的O原子结合，随着SiO层厚度的增加，在SiO/SiO2的界面处先后出现WOB（O3≡Si-O-O•），NOV（O3≡Si-Si≡O3），E′中心（O≡Si•），NBOHC（O3≡Si-O•）等缺陷，这些缺陷在SiO层厚度增大的过程中对发光先后起到主导作用，从而使得发光峰产生红移。

超晶格，界面态，悬挂键，光致发光

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2010-02-28

【期刊论文】ZnS: Ag和ZnS: Cu的薄膜电致发光特性*

衣立新，侯延冰，王晓峰，徐征，何大伟，王永生，徐叙

，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

本文研究了ZnS：Ag和ZnS：Cu的电致发光性质。用磁控溅射镀膜机和电子束镀膜机，分别制备了以ZnS：Ag和ZnS：Cu为发光层的夹层结构薄膜电致发光器件，测量了电致发光光谱，研究了发光强度随电压、频率变化规律。结果表明，利用ZnS：Ag和ZnS：Cu均可获得蓝色电致发光。

平板显示，电致发光，蓝光，薄膜

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2010-02-28

【期刊论文】磁控溅射法沉积SiNx非晶薄膜的生长机制及结构分析

衣立新，邬洋，衣立新*，王申伟，杜屿瑶，黄圣，冀国蕊，王永生

光谱学与光谱分析，2009，29（5）：1260～1263，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

利用磁控溅射技术在单晶Si衬底上沉积了SiNx非晶薄膜。样品的傅里叶变换红外吸收光谱（FTIR）显示，SiNx非晶薄膜在812～892cm-1范围内存在一个较强的吸收谱带。该吸收谱带对应于Si-N-Si键的伸缩振动吸收（Stretching vibration mode），其吸收峰峰位随着溅射功率的增大明显红移；但退火后，该吸收峰又逐渐蓝移。结合中心力模型和自由结合模型，分析了磁控溅射过程中SiNx非晶薄膜的生长机制和内部结构。研究认为，随着溅射功率的提高，薄膜中先后形成Si-N。四面体，Si-N-Sia，Si-N2-Si2及Si-N3-Si等结构，这几种结构分别对应着Si-N-Si键的不同模式的振动吸收。随着退火温度的升高，分子热运动逐渐加剧，非晶SiNx薄膜发生相分离，生成Sh3N4和Si纳米晶颗粒，因此，Si-N-Si键的吸收峰逐渐向Si3N4的特征振动吸收峰位870cm-1靠近。

SiNx非晶薄膜，磁控溅射，傅里叶变换红外光谱

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2010-02-28

【期刊论文】氟磷共掺杂二氧化硅光纤预制棒的表面晶化*

衣立新，戎根苗，唐莹，吕燕伍，安宏林， †

光子学报，2009，38（5）：1101～1103，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

对F、P共掺杂光纤预制棒退火后的表面晶化行为进行了研究。由改进的化学汽相沉淀法制备的氟和磷共掺杂二氧化硅光纤预制棒玻璃样品在6h的1150℃控温加热处理后，其表面发生晶化。用X-射线衍射仪观测其晶相，主要为α-方石英，可使玻璃具有二阶光学非线性；用光学显微镜观察了其表面形貌并对结晶微粒的大小进行测量，知晶粒大小在十几到几十μm之间，会造成散射损耗的增加。实验结果，还显示氟对结晶过程有很大的影响。

表面晶化，二氧化硅光纤预制棒，氟磷共掺杂，二阶光学非线性

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2010-02-28

【期刊论文】红外吸收光谱法研究磁控溅射沉积SiOx非晶薄膜的过程

衣立新，王申伟，衣立新*，苏梦蟾，陈恩光，王永生

光谱学与光谱分析，2007，27（3）：456～459，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

利用磁控溅射技术，在单晶Si衬底上生长了SiOx非晶薄膜。傅里叶变换红外吸收光谱（FTIR）显示，SiOx非晶薄膜存在3个吸收谱带。研究发现，随着溅射功率的提高，薄膜中先后形成Si-Qy-Si4-y（O<y≤4），Si6环以及无桥氧空位中心（NBOHC）缺陷等结构，这几种结构对应的Si-O-Si键的伸缩振动吸收、非对称伸缩振动吸收以及O-Si-O键的振动吸收是导致薄膜的FTIR光谱出现3个吸收谱带的根本原因。

SiOx非晶薄膜，磁控溅射，红外吸收光谱

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2010-02-28

【期刊论文】溅射气氛和退火方式对硅纳米晶的形成及发光特性的影响

衣立新，胡峰，衣立新*，王申伟，高华，何桢

发光学报，2009，30（2）：243～246，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

利用磁控溅射技术溅射硅靶，通过调节溅射气氛在硅衬底上生长了SiO/SiO2超晶格，热退火处理后超晶格中的SiO发生相分离得到硅纳米晶。通过比较不同退火方式对于硅纳米晶的形成的影响发现，管式炉退火处理的样品给出非常强的室温光致发光，其发光峰的峰位随着硅纳米晶尺寸的增大而红移，且管式炉退火比快速热退火更有利于硅纳米晶的形成。

硅纳米晶，超晶格，磁控溅射，热退火

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2010-02-28

【期刊论文】具有MgF2夹层有机一无机复合电致发光器件的性能*

衣立新，苏艳梅，侯延冰，杨晓辉，陈晓红，徐征，章婷

光电子·激光，2001，12（12）：1214～1217，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

本文把MgF2引入有机电致发光器件的电子传输层和空穴传输层之间，制备了有机无机复合的电致发光器件。通过发光和电学研究发现，MgF2层的引入可以明显抑制激基复合物的形成，增加短波长光的发射的强度；同时，它对降低起亮电压，改善器件发光性能具有明显的效果。

电致发光，有机无机复合， MgF2

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2010-02-28

【期刊论文】氢钝化对硅纳米晶发光强度的影响

衣立新，陈恩光，衣立新*，王申伟，刘尧平，苏梦蟾，唐莹，王永生

光谱学与光谱分析，2008，28（2）：246～248，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

通过热蒸发方法在单晶硅衬底上沉积了SiO/SiO2超晶格样品，在氮气保护下对样品进行高温退火，得到硅纳米晶/SiO2超晶格结构。随后将该结构样品分别注入3.0×10 14和3.0×10 15cm-2两种剂量的H+。通过对样品的光致发光光谱的分析发现，H+注入后未经过二次退火的样品发光强度急剧下降；二次退火后的样品，随着退火温度的升高，发光强度逐渐增强；注入足够剂量的H+，其发光强度可以远远超过未注入时的发光强度。研究表明，样品发光强度的变化取决于样品内部缺陷面密度的改变，而缺陷面密度是由氢离子的注入剂量和注入后再退火的温度等因素决定的。

超晶格，硅纳米晶，氢钝化

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2010-02-28

【期刊论文】体异质结有机太阳能电池性能提高的研究

衣立新，苏梦蟾，汪洋，，时玉萌，梁春军*

光谱学与光谱分析，2008，28（4）：740～744，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

制备了四种不同结构的有机太阳能电池器件，器件1 ITO/LiF/PEDOT： PSS/MEH-PPV/C60/Al、器件2ITO/PEDOT：PSS/MEH-PPV/C60/Al、器件3 ITO/LiF/PEDOT：PSS/MEH-PPV：C60/C60/Al和器件4 ITO/PEDOT：PSS/MEJ-PPV：C60/C60/Al。测量了它们的电流一电压特性，结果显示在ITO和PEDOT：PSS之间插入一薄层LiF使得器件性能得到较大提高。其器件1的Jsc和FF比器件2的提高了74%和31%；器件3的Jsc比器件4的提高了约40%。这主要是由于LiF层有效地抑制了空穴向阳极的传输，并且LiF层在ITO和PEDOT；PSS之间形成了良好的界面特性。因此，这种结构上的改进有效地提高了有机太阳能电池的性能。

有机太阳能电池，氟化锂，短路电流密度(， Jsc)， ,，开路电压(， Voc)，，体异质结，填充因子(， FF)，