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衣立新
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期刊论文
溅射气氛和退火方式对硅纳米晶的形成及发光特性的影响
发光学报，2009，30（2）：243～246，-0001，（）：
摘要/描述
利用磁控溅射技术溅射硅靶，通过调节溅射气氛在硅衬底上生长了SiO/SiO2超晶格，热退火处理后超晶格中的SiO发生相分离得到硅纳米晶。通过比较不同退火方式对于硅纳米晶的形成的影响发现，管式炉退火处理的样品给出非常强的室温光致发光，其发光峰的峰位随着硅纳米晶尺寸的增大而红移，且管式炉退火比快速热退火更有利于硅纳米晶的形成。
【免责声明】以下全部内容由[衣立新]上传于[2010年02月28日 10时20分14秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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