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衣立新
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期刊论文
红外吸收光谱法研究磁控溅射沉积SiOx非晶薄膜的过程
光谱学与光谱分析，2007，27（3）：456～459，-0001，（）：
摘要/描述
利用磁控溅射技术，在单晶Si衬底上生长了SiOx非晶薄膜。傅里叶变换红外吸收光谱（FTIR）显示，SiOx非晶薄膜存在3个吸收谱带。研究发现，随着溅射功率的提高，薄膜中先后形成Si-Qy-Si4-y（O<y≤4），Si6环以及无桥氧空位中心（NBOHC）缺陷等结构，这几种结构对应的Si-O-Si键的伸缩振动吸收、非对称伸缩振动吸收以及O-Si-O键的振动吸收是导致薄膜的FTIR光谱出现3个吸收谱带的根本原因。
【免责声明】以下全部内容由[衣立新]上传于[2010年02月28日 10时20分40秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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