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2010年02月28日

衣立新，杜琦瑶，衣立新*，王申伟，邬洋

发光学报，2009，30（3）：417～420，-0001，（）：

-1年11月30日

通过电子束蒸发方法以及高温退火处理，得到nc-Si/SiO2超晶格。将样品分别注入剂量为2.0×10 14cm-2和2.0×10 15cm-2的Ce3+，再对其进行二次退火处理，获得多组样品。通过对样品光致发光光谱的分析发现，样品发光强度的变化不仅受到Ce+3注入剂量的影响，而且也受到nc-Si颗粒大小的影响。在相同注入计量和相同的二次退火处理温度下，nc-Si颗粒较大的样品经Ce3+注入后其发光强度增强较为明显。

超晶格，硅纳米晶， Ce3+，注入，光致发光

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2010年02月28日

【期刊论文】Ce3+注入对超晶格中硅纳米晶光致发光强度的影响

衣立新，杜玙瑶，衣立新*，王申伟，邬洋

光谱学与光谱分析，2009，29（6）：1486～1488，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

研究了铈离子注入和二次退火等因素对硅纳米晶（nc-Si）发光强度的影响。利用电子束蒸发以及高温退火得到nc-Si/SiO2超晶格结构。随后将该结构样晶分别注入2.0×10 14cm2和2.0×10 15cm-2剂量的铈离子（Ce3+），再分别以不同温度对其进行二次退火，获得多种样品。通过对样品光敏发光光谱的分析发现，Ce3+注入后未经过二次退火的样品发光强度急剧下降。二次退火后的样品，随着退火温度的升高，样品的光致发光强度逐渐增强。但当温度超过600℃时，发光强度反而下降，600℃为二次退火的最佳退火温度。注入适当剂量的Ce3+，其发光强度可以超过未注入时的发光强度，Ce3+的注入存在饱和剂量。研究表明，样品发光强度的变化受到铈离子注入剂量和注入后二次退火温度等因素的影响，并且存在着Ce3+到nc-Si的能量传递。

超晶格，硅纳米晶，铈，离子注入，光致发光

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2010年02月28日

【期刊论文】SiO/SiO2超晶格结构界面发光的研究

衣立新，王申伟，衣立新*，何桢，胡峰，王永生

光谱学与光谱分析，2009，29（5）：1197～1200，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

利用热蒸发技术在硅衬底上制备了层厚不同的SiO/SiO2超晶格样品。对其光致发光谱进行研究发现，随着SiO/SiO2超晶格中SiO层厚度的增加，发光峰在400～600nm之间移动。研究表明，样品的发光中心来自于SiO/SiO2界面处的缺陷发光（界面态发光）。即在样品沉积的过程中，在SiO/SiO2的界面处由于晶格的不连续性，会形成大量的Si-O悬挂键，这些悬挂键本身相互结合可以形成一定数量的缺陷，同时由于O原子容易脱离Si原子的束缚而产生扩散。因此，这些悬挂键可以与扩散的O原子结合，随着SiO层厚度的增加，在SiO/SiO2的界面处先后出现WOB（O3≡Si-O-O•），NOV（O3≡Si-Si≡O3），E′中心（O≡Si•），NBOHC（O3≡Si-O•）等缺陷，这些缺陷在SiO层厚度增大的过程中对发光先后起到主导作用，从而使得发光峰产生红移。

超晶格，界面态，悬挂键，光致发光

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2010年02月28日

【期刊论文】ZnS: Ag和ZnS: Cu的薄膜电致发光特性*

衣立新，侯延冰，王晓峰，徐征，何大伟，王永生，徐叙

，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

本文研究了ZnS：Ag和ZnS：Cu的电致发光性质。用磁控溅射镀膜机和电子束镀膜机，分别制备了以ZnS：Ag和ZnS：Cu为发光层的夹层结构薄膜电致发光器件，测量了电致发光光谱，研究了发光强度随电压、频率变化规律。结果表明，利用ZnS：Ag和ZnS：Cu均可获得蓝色电致发光。

平板显示，电致发光，蓝光，薄膜

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2010年02月28日

【期刊论文】磁控溅射法沉积SiNx非晶薄膜的生长机制及结构分析

衣立新，邬洋，衣立新*，王申伟，杜屿瑶，黄圣，冀国蕊，王永生

光谱学与光谱分析，2009，29（5）：1260～1263，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

利用磁控溅射技术在单晶Si衬底上沉积了SiNx非晶薄膜。样品的傅里叶变换红外吸收光谱（FTIR）显示，SiNx非晶薄膜在812～892cm-1范围内存在一个较强的吸收谱带。该吸收谱带对应于Si-N-Si键的伸缩振动吸收（Stretching vibration mode），其吸收峰峰位随着溅射功率的增大明显红移；但退火后，该吸收峰又逐渐蓝移。结合中心力模型和自由结合模型，分析了磁控溅射过程中SiNx非晶薄膜的生长机制和内部结构。研究认为，随着溅射功率的提高，薄膜中先后形成Si-N。四面体，Si-N-Sia，Si-N2-Si2及Si-N3-Si等结构，这几种结构分别对应着Si-N-Si键的不同模式的振动吸收。随着退火温度的升高，分子热运动逐渐加剧，非晶SiNx薄膜发生相分离，生成Sh3N4和Si纳米晶颗粒，因此，Si-N-Si键的吸收峰逐渐向Si3N4的特征振动吸收峰位870cm-1靠近。

SiNx非晶薄膜，磁控溅射，傅里叶变换红外光谱

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