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衣立新
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期刊论文
SiO/SiO2超晶格结构界面发光的研究
光谱学与光谱分析，2009，29（5）：1197～1200，-0001，（）：
利用热蒸发技术在硅衬底上制备了层厚不同的SiO/SiO2超晶格样品。对其光致发光谱进行研究发现，随着SiO/SiO2超晶格中SiO层厚度的增加，发光峰在400～600nm之间移动。研究表明，样品的发光中心来自于SiO/SiO2界面处的缺陷发光（界面态发光）。即在样品沉积的过程中，在SiO/SiO2的界面处由于晶格的不连续性，会形成大量的Si-O悬挂键，这些悬挂键本身相互结合可以形成一定数量的缺陷，同时由于O原子容易脱离Si原子的束缚而产生扩散。因此，这些悬挂键可以与扩散的O原子结合，随着SiO层厚度的增加，在SiO/SiO2的界面处先后出现WOB（O3≡Si-O-O•），NOV（O3≡Si-Si≡O3），E′中心（O≡Si•），NBOHC（O3≡Si-O•）等缺陷，这些缺陷在SiO层厚度增大的过程中对发光先后起到主导作用，从而使得发光峰产生红移。
【免责声明】以下全部内容由[衣立新]上传于[2010年02月28日 10时21分38秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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