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衣立新
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期刊论文
氢钝化对硅纳米晶发光强度的影响
光谱学与光谱分析，2008，28（2）：246～248，-0001，（）：
通过热蒸发方法在单晶硅衬底上沉积了SiO/SiO2超晶格样品，在氮气保护下对样品进行高温退火，得到硅纳米晶/SiO2超晶格结构。随后将该结构样品分别注入3.0×10 14和3.0×10 15cm-2两种剂量的H+。通过对样品的光致发光光谱的分析发现，H+注入后未经过二次退火的样品发光强度急剧下降；二次退火后的样品，随着退火温度的升高，发光强度逐渐增强；注入足够剂量的H+，其发光强度可以远远超过未注入时的发光强度。研究表明，样品发光强度的变化取决于样品内部缺陷面密度的改变，而缺陷面密度是由氢离子的注入剂量和注入后再退火的温度等因素决定的。
【免责声明】以下全部内容由[衣立新]上传于[2010年02月28日 10时19分48秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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