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张玉明
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引用
期刊论文
6H-SiCMOS场效应晶体管的研制*
固体电子学研究与进展，2000，20（1）：1～6，-0001，（）：
摘要/描述
报道了多晶硅栅6H2SiCMOS场效应器件的制造工艺和器件性能。6H2SiC氧化层的SIMS分析说明在氧化过程中，多余的C以CO的形式释放，铝元素逸出极少，氧化层中因有较多的铝而正电荷密度较大，SiC的氧化速率和掺杂类型关系不大。器件漏电流都有很好的饱和特性，最大跨导为0.36mS/mm，沟道电子迁移率约为14cm2/V.s，但串联电阻效应明显。
【免责声明】以下全部内容由[张玉明]上传于[2009年06月22日 14时44分45秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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