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张玉明
（1）高温高频大功率宽禁带半导体器件和材料（SiC）；（2）模拟集成电路设计；（3）自旋电子学；（4）半导体器件模型和模拟；（5）半导体器件抗辐照加固技术。
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- 姓名：张玉明
- 目前身份：
- 担任导师情况：
- 学位：
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学术头衔：
博士生导师
- 职称：-
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学科领域：
微电子学
- 研究兴趣：（1）高温高频大功率宽禁带半导体器件和材料（SiC）；（2）模拟集成电路设计；（3）自旋电子学；（4）半导体器件模型和模拟；（5）半导体器件抗辐照加固技术。
张玉明，男，生于1965年5月，陕西白水人，博士（1998），教授（2001），全国重点学科微电子学与固体电子学博士导师（2002），西安电子科技大学微电子学院副院长，IEEE高级会员，IEEE ED西安分会秘书，中国电子学会高级会员，中国计算物理学会陕西分会理事，《中国物理快报》特约评审。
主要研究领域：（1）高温高频大功率宽禁带半导体器件和材料（SiC）；（2）模拟集成电路设计；（3）自旋电子学；（4）半导体器件模型和模拟；（5）半导体器件抗辐照加固技术。
发表论文100余篇，参与编写论著1部，曾获电子工业部科技进步奖三等奖2项，西安市科学技术进步一等奖1项，陕西省科学技术进步二等奖1项。获陕西省优秀留学回国人员称号（2001）。获第四届“陕西青年科技奖”。
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上传时间
2009-06-22
张玉明， 张义门， 罗晋生
半导体学报，1999，20（11）：1040～1043，-0001，（）：
-1年11月30日
本文报道了采用电子束热蒸发的方法用铂（P t）做肖特基接触在n型6H2SiC体材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性。对实验结果进行了比较分析，I2V特性测量说明Pt/6H2SiC肖特基二极管有较好的整流特性，热电子发射是其主要的输运机理，理想因子为1123，肖特基势垒高度为1103eV，开启电压约为015V。
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2009-06-22
张玉明， 张义门， 罗晋生
固体电子学研究与进展，2000，20（1）：1～6，-0001，（）：
-1年11月30日
报道了多晶硅栅6H2SiCMOS场效应器件的制造工艺和器件性能。6H2SiC氧化层的SIMS分析说明在氧化过程中，多余的C以CO的形式释放，铝元素逸出极少，氧化层中因有较多的铝而正电荷密度较大，SiC的氧化速率和掺杂类型关系不大。器件漏电流都有很好的饱和特性，最大跨导为0.36mS/mm，沟道电子迁移率约为14cm2/V.s，但串联电阻效应明显。
碳化硅， 场效应晶体管， 器件工艺， 二次离子质谱分析
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