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2007年09月20日

【期刊论文】低能量He离子注入局域寿命控制L IGBT的实验研究

李肈基，方健，唐新伟，李肇基，张波

半导体学报第25卷第9期2004年9月/CHINESE JOURNAL OF SEM ICONDUCTORS Vol. 25, No. 9, Sep. , 2004，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

提出了一种采用低能量大剂量He 离子注入局域寿命控制的高速L IGBT, 并对其进行了实验研究. 粒子辐照实验结果显示与常规的L IGBT 相比较, 该器件的关断时间和正向压降的折中关系得到了改善. 同时研究了当局域寿命控制区位于p+-n结附近, 甚至在p+阳极内时, 该器件的正向压降和关断时间. 结果显示当局域寿命控制区在p+阳极内时, 仍然对关断时间和正向压降有影响.

L IGBT，局域寿命控制， He离子注入

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2007年09月20日

【期刊论文】PRIMARY SIDE DETECTION AND PEAK CURRENT MODE CONTROL IN FLYBACK CONVERTER

李肈基， Fang Jian， Lu Zhiping， Yang Jian， Li Zhaoji

JOURNAL OF ELECTRONS(CHINA) Vol. 21 No. 1 Jan. 2004，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

A new cycle·-by·-cycle control flyback converter with primary side detection and peak current mode control is proposed and its dynamic characteristics are analyzed．The flyback converter is verified by the OrCAD simulator．The main advantages of this converter over the conventional one are simplicity，small size，rapid regulating and no sensing control signals over the isolation barrier．The circuit is suitable for digital control implementations．

Flyback converter， Peak current mode， Primary side detection

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电子科技大学，973，863首席科学家

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