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2005年02月25日

【期刊论文】HV/CVD系统Si、SiGe低温掺杂外延*

陈培毅，刘志农，贾宏勇，罗广礼，林惠旺，钱佩信

半导体学报，20001，22（3）：317～321，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

研究了硼烷（B2H6）掺杂锗硅外延和磷烷（PH3）掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系。 B浓度与B2H6流量基本上成正比例关系；生长了B浓度直至1019cm-3的多层阶梯结构，各层掺杂浓度均匀，过渡区约20nm，在整个外延层，Ge组分（x=0.20）均匀而稳定。PH3掺杂外延速率随PH3流量增加而逐渐下降；P浓度在PH3流量约为1.7sccm时达到了峰值（约6×1018cm-3）。分别按PH3流量递增和递减的顺序生长了多层结构用以研究PH3掺杂Si外延的特殊性质。

SiGe， HBT， HV/， CVD

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2005年02月25日

【期刊论文】多层Ge量子点的生长及其光学特性*

陈培毅，邓宁，王吉林，黄文韬，李志坚

半导体学报，2003，24（9）：951～954，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

用超高真空化学气相淀积系统在Si（100）衬底上生长了多层Ge量子点。分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸，研究了量子点层数和Si隔离层厚度对上层Ge量子点的形状和尺寸分布的影响。观察到样品的低温PL 谱线有明显蓝移（87meV），Ge量子点的PL谱线的半高宽度（FWHM）为46meV，说明采用UHV/CVD生长的多层量子点适合量子光电器件的应用。

超高真空化学气相淀积，多层锗量子点， PL谱