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2009年04月06日

肖鹏，熊翔，黄伯云

中南大学学报（自然科学版），2005，36（5）：761～765，-0001，（）：

-1年11月30日

控制化学气相浸渗（CVI）反应器内的反应气体流场是获得理想沉积物的关键技术之一，通过建立质量守恒、动量守恒、能量守恒和化学反应守恒4个微分方程及其边界条件，采用有限单元法对CVI反应器中复杂且不可观察的气体流场进行数值计算。数值计算结果表明，喷嘴形状及其与衬底相对位置对流场形貌有显著影响。采用π/6的斜口喷嘴，并使其中心轴线与通过它和圆柱形衬底交点切线的夹角为π/6时，反应器内基本消除了回流。

有限元，气体流场，化学气相沉积，反应器，数值模拟

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2009年04月06日

【期刊论文】CSCVI法快速制备C纤维增韧SiC基复合材料及其微观结构

肖鹏，徐永东，黄伯云

机械科学与技术，2002，21（4）：612～614，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

采用一种改进的CVI工艺（CSCVI法）制备连续炭纤维增韧SiC基复合材料，使预制体的编织与SiC基体的沉积同步复合进行。在不同的工艺条件下，制备了C/SiC复合材料，观察了其微观结构。结果表明：CSCVI-C/SiC中的残留孔隙很小且明显小于ICVI-C/SiC中的残留孔隙；CSCVI具有快速制备孔隙率低、体积密度较高的C/SiC复合材料的能力；纤维束缠绕转轴的线速度直接影响到C/SiC的显气孔率、纤维束间SiC基体墙的厚度和C/SiC复合材料的最终体积密度。

CSCVI， CVI， C/， SiC，微观结构

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2009年04月06日

【期刊论文】CVI法快速制备C/SiC复合材料

肖鹏，徐永东，黄伯云

硅酸盐学报，2002，30（2）：240～243，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

为缩短CVI法制备C/SiC复合材料的工艺周期并降低成本，研究了CVI工艺过程中沉积温度、MTS（CH3SiC13）摩尔分数和气体流量对SiC沉积速率和MTS有效利用率的影响。实验结果表明：提高沉积温度，常压下1100℃时增大MTS摩尔分数（11%→19%），都有利于提高SiC沉积速率;提高沉积温度和降低反应物气体流量，能提高MTS有效利用率。在优化的工艺条件下，预制体的微观孔隙内沉积了致密的SiC基体，沉积速率达到142μm/h左右，并有效消除了基体中裂纹的形成.MTS的有效利用率为11%～27%。

碳/，碳化硅，化学气相浸渗，沉积速率，有效利用率，复合材料

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2009年04月06日

【期刊论文】优化CVI反应器气体流场的可视化研究

肖鹏，徐永东，张立同，成来飞

流体力学实验与测量，2000，14（2）：88～90，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

CVI（化学气相浸渗）反应器内气体的输运对基体的沉积速度与沉积质量有重要的影响。用一套结构简单、可操作性强的气体流动可视化设备，对底部进气的等温等压CVI反应器内气体流场进行了模拟研究，得到如下结论：在气体入口处采用涡流器与多孔整流器，能消除中心射流并减小上部回流区域，扩大反应器的有效使用空间；使衬底与气体主流方向成一定的夹角，能有效阻止气体边界层的分离。

CVI反应器，优化，气体流动，可视化

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2009年04月06日

【期刊论文】旋转CVI制备C/sic复合材料

肖鹏，徐永东，张立同，成来飞

无机材料学报，2000，15（5）：903～908，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

旋转CVI是在CVI原理基础上发展的一种制备C/SiC复合材料的新工艺，通过石墨衬底的旋转，使预制体的制备与基体的沉积同步进行，能有效消除一般CVI工艺过程中存在的“瓶颈”效应。在自制的旋转CVI设备上实验，探索了旋转CVI工艺参数中CH3SiC13h（MTS）的流量与浓度、沉积温度和C布缠绕线速度对SiC基体沉积速度，以及沉积温度对基体结构的影响。并在低压（5kPa）、高温（1100℃）、400mL•min-1H2、200ML•min-1Ar、MTS40℃与C布以1.1-3.5mm-minll的线速度连续旋转的沉积条件下，实现了单丝纤维间微观孔隙、纤维束之间以及C布层间宏观孔隙的致密化同步完成。

旋转CVI， C/， SiC复合材料，沉积速度，基体结构

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