提示
恭喜！关注成功
期刊论文已为您找到该学者18条结果 成果回收站
上传时间
2011年09月05日
-
101浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
13296下载
-
0
-
引用
上传时间
2011年09月05日
-
38浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
33下载
-
0
-
引用
上传时间
2011年09月05日
【期刊论文】Growth of Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y alloys by metalorganic chemical vapor deposition
李树玮
，-0001，（）：
-1年11月30日
-
45浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
46下载
-
0
-
引用
上传时间
2009年04月12日
李树玮， Shuwei Li a， *， Kazuto Koike b
Journal of Crystal Growth 263(2004)53-57，-0001，（）：
-1年11月30日
Photoluminescence (PL) of quantum dots embedded in high potential barriers is studied as functions of barrier thickness and temperature. With the increase of barrier thickness, both the strengthened two-dimensional electron gas (2DEG) structure and strongly localized electron wave functions can increase the carrier recombination. The optical properties of two different-barrier-thickness samples exhibit different characteristics with the decreased measurement temperatures. The PL recombination characteristic of the samples with the barriers adjacent to a Si-doping GaAs layer is different fromthat of samples with the barrier adjacent to an i-GaAs layer.
A1.， Carrier recombination， A1.， Optical property， A1.， Photoluminescence， A3.， Molecular beam epitaxy， A3.， Self-assembled quantumdots
-
48浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
57下载
-
0
-
引用
>
