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2005年08月05日

【期刊论文】Sn-doped BaO-TiOz-ZnO microwave ceramics

吴顺华， Wu Shunhua， Wang Guoqing， and Zhao Yushuaag

J. Mater. Res., Vol. 17, No. 6, Jun 2002，-0001，（）：

-1年11月30日

Sn-doped BaO-TiO-ZnO (BTZ) microwave ceramic materials were investigated as a unction of SnO2 eontent. Addition of a small amounl of SnO2 (0.01-0.06 wt%) owered the sin(cring temperature of the system to 1160℃ and also greatly reduced he dielectric loss (tail δ), which is closely related to the insulation resistivity The n-doped BTZ materials were found to have excellent dielectric properties at 1 GHz ith dielectric constant e=36. loss tangent tan δ≤1×l0-4, lemperature coefficienl of dielectric constant, α, =0±30ppm/℃, and volunme resistivty pg≥1013Ωcm.

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2005年08月05日

【期刊论文】Fe, Ni掺杂（Zr, sn）TiO4陶瓷的结构和介电性能

吴顺华，陈力颖，董向红

无机材料学报，2002，17（3）：504～508，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

用电子陶瓷工艺制备主晶相为（Zr，Sn）TiO4的介电陶瓷，（Zr，Sn）TiO4的结构属正交晶系，空间群Pbcn。研究用Fe，Ni掺杂对（Zr，Sn）TiO4陶瓷的介电性能的影响：铁掺杂降低了瓷料的烧结温度。同时减小了系统的Q值(Q=1/tgδ)；但在一定的范围内，随着Ni掺杂量的增大，Q值的下降被抑制，这可能是因为Ni离子阻碍了Fe离子扩散进入晶粒，使得Fe离子富集在晶界上，形成Fe-Ni尖晶石结构，减少了Fe对Q值的影响。

（Zr,， Sn)， TiO4，介电性能， Ni掺杂， Fe掺杂

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2005年08月05日

【期刊论文】Mn掺杂BaTi409陶瓷结构和介电性能

吴顺华，陈力颖，陈晓娟，赵玉双，张志萍，熊文

硅酸盐学报，2001，29（1）：80～83，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

用电子陶瓷工艺制备主晶相为BaTi4O9（BT4）的介电陶瓷，研究用锰掺杂的BaTh09陶瓷的结构和介电性能。XRD研究表明BaTi409属正交晶系，空间群pmmn，晶格常数为α=1.453nm，b=0.379nm，c=0.629 nm，每个原胞有两个分子，钛原子位于变形的氧八面体之中。这种氧八面体的极化类似于或大于在BaTiO3和PbTiO3铁电相观察到的极化。锰掺杂极大地增强了Q值，在1 M14z下测得的Q值为12500而没有掺杂的陶瓷有高的损耗，这可能是由于在空气中烧结时形成Ti3+，显然锰的作用是在缺陷平衡中作为一种补偿剂，依据反应：Mn3+Ti3+→Mn2++Ti4+，可能有助于Ti4+的形成。Bari4O9陶瓷具有优良的介电性能：低介质损耗、中等介电常数和低的介电常数温度系数此种陶瓷制造成多层陶瓷电容器开拓了一种新的应用领域。

介电性能，锰掺杂，主晶相，四钛酸钡

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2005年08月05日

【期刊论文】烧结温度对PSBN铁电陶瓷介电性能的影响

吴顺华，李辉亮，吴国桥，董向红

天津大学学报，1997，30（5）：653～657，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

用普通的电子陶瓷工艺制备了PbO-SrO-BaO-Nb，Os（PSBN）系统铁电陶瓷，研完了PSBN系统铁电陶瓷的介电性能与烧结温度的关系。XRD分析表明：PSBN系统铁电陶瓷的主晶相是Pb0.7Ba0.3Nb2O6（PBN）、Sr0.5Ba0.5Nb3O6（SBN）和Ba0.27Sr0.75Nb2O5.78（BSN）将这一个复杂的化学系统看作三元素固熔体，其中PBN、SBN和BSN各相比倒随烧结温度的不同而变化，引起PSBN系统电性能的变化。当烧结温度升高时，介电系统增大，居里温度向负温方向移动。

烧结，铁电陶瓷，介电性能