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李肈基
半导体器件物理，半导体功率器件和IC技术等
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- 姓名：李肈基
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学术头衔：
博士生导师
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学科领域：
微电子学
- 研究兴趣：半导体器件物理，半导体功率器件和IC技术等
李肈基，电子科技大学教授，博士生导师。1963年毕业于电子科技大学（UESTC），1982－1984年于美国乔治亚工学院访问学习。在IEEE Trans. ED、 IEEE EDL等发表80余篇文章。曾多次获得国家科技进步奖、国家发明奖等奖项。电子科技大学微电子研究所所长和四川省科技顾问，四川省功率电子协会副主任。主要研究方向为半导体器件物理，半导体功率器件和IC技术等。
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2007-09-20
【期刊论文】均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI RESURF器件的统一击穿模型
李肈基， 郭宇锋， 张波， 毛平， 李肇基， 刘全旺
半导体学报第26卷第2期2005年2月/CHINESE JOURNAL OF SEM ICONDUCTORS Vol. 26, No. 2, Feb. , 2005，-0001，（）：
-1年11月30日
提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI 高压器件的统一击穿模型. 基于分区求解二维Poisson方程,得到了不同漂移区杂质分布的横向电场和击穿电压的统一解析表达式. 借此模型并对阶梯数从0到无穷时器件结构参数对临界电场和击穿电压的影响进行了深入研究. 从理论上揭示了在厚膜SOI器件中用阶梯掺杂取代线性漂移区,不但可以保持较高的耐压,而且降低了设计和工艺难度. 解析结果、MEDICI仿真结果和实验结果符合良好.
阶梯掺杂， 线性掺杂， SOI， RESURF， 击穿模型
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2007-09-20
李肈基， Zhaoji Li， Ming Zhang， Jian Yang， Jian Fang
Solid-State Electronics 44(2000)1-9，-0001，（）：
-1年11月30日
An analytical transient turn-off current model for a type of the conductivity modulation power MOSFET transistors (CMT) with the extracted structure of the excess carrier is developed in the paper. With the non-quasi-static state (NQS) approximation for the excess carrier in the wide base of a low gain pnp transistor included in the CMT the three state equations of the charge, the voltage and the current are solved for the transient turn-off current analysis and ambipolar transport theory in high-level injection is used to evaluate the steady state current. Accounting for the perturbing effect of the carrier concentration redistribution under the condition of base width modulation and the coupling effect between the electron and hole current, the normalized transient current and turn-off time of the device with the extracted structure are obtained and compared with the experimental results.
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2007-09-20
李肈基， 郭宇锋， 方健， 张波， 李泽宏， 李肇基
半导体学报第26卷第4期2005年4月/CHINESE JOURNAL OF SEM ICONDUCTORS Vol. 26, No. 4, Apr. , 2005，-0001，（）：
-1年11月30日
提出了SOI基双级RESURF二维解析模型. 基于二维Poisson方程,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI的双级和单级RESURF条件统一判据,得到RESURF浓度优化区(DOR, doping optimal region),研究表明该判据和DOR还可用于其他单层或双层漂移区结构. 根据此模型,对双级RESURF结构的降场机理和击穿特性进行了研究,并利用二维器件仿真器MEDICI进行了数值仿真. 以此为指导成功研制了耐压为560V和720V的双级RESURF高压SOI LDMOS.解析解、数值解和实验结果吻合得较好.
SOI， 双极RESURF， 击穿电压， 模型
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2007-09-20
【期刊论文】On-State Breakdown Model for High Voltage RESURF LDMOS
李肈基， Fang Jian， Yi Kun， Li Zhaoji， Zhang Bo
半导体学报第26卷第3期2005年3月/CHINESE JOURNAL OF SEM ICONDUCTORS Vol. 26, No. 3, Mar. , 2005，-0001，（）：
-1年11月30日
An analytical breakdown model under on-state condition for high voltage RESURF LDMOS is proposed. The model considers the drift velocity saturation of carriers and influence of parasitic bipolar transistor. As a result, electric field profile of n-drift in LDMOS at on-state is obtained. Based on this model, the electric SOA of LDMOS can be determined. The analytical result s partially fit to our numerical ( by MEDICI) and experiment result s. This model is an aid to understand the device physics during on-state accurately and it also directs high voltage LDMOS design.
LDMOS， safe operating area， breakdown voltage
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2007-09-20
李肈基， 李泽宏， 李肇基， 张波， 方健
物理学报第53卷第2期2004年2月1000-3290/2004/53(02)/0561-05 / ACTA PHYSICA SINICA VOL. 53, NO. 2 FEBRUARY, 2004 c 2004 Chin. Phys. Soc.，-0001，（）：
-1年11月30日
提出非均匀沟道MOS 辐照正空间电荷迁移率模型. 借助镜像法导出沟道电离杂质与辐照正空间电荷的二维场和二维互作用势的分布,由此给出非均匀n沟和p沟的迁移率表示式,其解析解与二维仿真值十分吻合.还借助二维仿真器计算均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率的变化值,其值和文献[2,3]实验数据一致.
非均匀沟道MOS， 镜像法， 二维互作用势
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2007-09-20
【期刊论文】低能量He离子注入局域寿命控制L IGBT的实验研究
李肈基， 方健， 唐新伟， 李肇基， 张波
半导体学报第25卷第9期2004年9月/CHINESE JOURNAL OF SEM ICONDUCTORS Vol. 25, No. 9, Sep. , 2004，-0001，（）：
-1年11月30日
提出了一种采用低能量大剂量He 离子注入局域寿命控制的高速L IGBT, 并对其进行了实验研究. 粒子辐照实验结果显示与常规的L IGBT 相比较, 该器件的关断时间和正向压降的折中关系得到了改善. 同时研究了当局域寿命控制区位于p+-n结附近, 甚至在p+阳极内时, 该器件的正向压降和关断时间. 结果显示当局域寿命控制区在p+阳极内时, 仍然对关断时间和正向压降有影响.
L IGBT， 局域寿命控制， He离子注入
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2007-09-20
【期刊论文】PRIMARY SIDE DETECTION AND PEAK CURRENT MODE CONTROL IN FLYBACK CONVERTER
李肈基， Fang Jian， Lu Zhiping， Yang Jian， Li Zhaoji
JOURNAL OF ELECTRONS(CHINA) Vol. 21 No. 1 Jan. 2004，-0001，（）：
-1年11月30日
A new cycle·-by·-cycle control flyback converter with primary side detection and peak current mode control is proposed and its dynamic characteristics are analyzed．The flyback converter is verified by the OrCAD simulator．The main advantages of this converter over the conventional one are simplicity，small size，rapid regulating and no sensing control signals over the isolation barrier．The circuit is suitable for digital control implementations．
Flyback converter， Peak current mode， Primary side detection
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