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2005年02月25日

【期刊论文】Comparison of neutron irradiation effects on the electrical performances of SiGe HBT and Si BJT

陈培毅， MENG Xiangti )， WANG Ruipian )， KANG Aiguo)， WANG Jilin )， JIA Hongyong )， CHEN Peiyi )， and Peihsin Tsien )

RARE METALS Vol. 22, No.1, Mar 2003, p. 69，-0001，（）：

-1年11月30日

was studied as a function of reactor fast neutron radiation fluence. After neutron irradiation, the collector current Ic and the current gain β decrease, and the base current Ib increases generally for SiGe HBT. The higher the neutron irradiation fluence is, the larger Ib increases. For conventional Si BJT, Ic and Ib increase as well as β decreases much larger than SiGe HBT at the same fluence. It is shown that SiGe HBT has a larger anti-radiation threshold and better anti-radiation performance than Si BJT. The mechanism of performance changes induced by irradiation was preliminarily discussed.

semiconductor technology， SiGe HBT， neutron irradiation， Si BJT， electrical performance

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2005年02月25日

【期刊论文】多晶发射极双台面微波功率SiGeHBT*

陈培毅，刘志农，熊小义，黄文韬，李高庆，张伟，许军，刘志弘，林惠旺，许平，钱佩信

半导体学报，2003，24（9）：897～901，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500，并生长了器件级SiGeHBT材料。研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT器件，其性能为：β=60@VCE/IC=9V/300μA，β=100@5V/50mA，BVCBO=22V，ft/fmax=5.4GHz/7.7GHz@10指，3V/10mA多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷,该工艺总共只有6步光刻，CMOS工艺兼容且（因多晶发射极）无需发射极外延层的生长，这些优点使其适合于商业化生产。利用60指和120指的SiGeHBT制作了微波锗硅功率放大器。60指功放在900MHz和315V/012A偏置时在1dB压缩点给出P1dB/Gp/PAE=22dBm/11dB/26.1%。120指功放900MHz工作时给出了Pout/Gp/PAE=33.3dBm （211W）/10.3dB/33.9%@11V/0.52A.

锗硅，异质结双极晶体管，微波功率放大器

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2005年02月25日

【期刊论文】Novel strained Siyrelaxed SiGe channel PMOSFETs

陈培毅， Chen Li， Guangli Luo*， Zhinong Liu， Peiyi Chen， Pei-Hsin Tsien

Thin Solid Films 409(2002)112-115，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

Due to the high hole mobility both in the surface strained Si and buried relaxed SiGe channels, we successfully fabricated a novel strained Siyrelaxed SiGe channel PMOSFET on the heterostructure strained Siyrelaxed SiGeystrained Siyrelaxed SiGe buffer layerygrading Si Ge layer, grown by home-made UHVyCVD system, which is commonly used in 1yx x the 'buried' SiGe NMOSFET.This device is easier to integrate with SiGe NMOSFET to form SiGe CMOS, than strained SiGe channel PMOSFET. Then the process is presented. With Vgs=3.5V, the maximum saturated transconductance is found to be twice as large as that of the control Si PMOS, and approximates to that of a traditional strained SiGe channel PMOS.

SiGe， MOSFET， UHVyCVD

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2005年02月25日

【期刊论文】HV/CVD系统Si、SiGe低温掺杂外延*

陈培毅，刘志农，贾宏勇，罗广礼，林惠旺，钱佩信

半导体学报，20001，22（3）：317～321，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

研究了硼烷（B2H6）掺杂锗硅外延和磷烷（PH3）掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系。 B浓度与B2H6流量基本上成正比例关系；生长了B浓度直至1019cm-3的多层阶梯结构，各层掺杂浓度均匀，过渡区约20nm，在整个外延层，Ge组分（x=0.20）均匀而稳定。PH3掺杂外延速率随PH3流量增加而逐渐下降；P浓度在PH3流量约为1.7sccm时达到了峰值（约6×1018cm-3）。分别按PH3流量递增和递减的顺序生长了多层结构用以研究PH3掺杂Si外延的特殊性质。

SiGe， HBT， HV/， CVD

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2005年02月25日

【期刊论文】多层Ge量子点的生长及其光学特性*

陈培毅，邓宁，王吉林，黄文韬，李志坚

半导体学报，2003，24（9）：951～954，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

用超高真空化学气相淀积系统在Si（100）衬底上生长了多层Ge量子点。分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸，研究了量子点层数和Si隔离层厚度对上层Ge量子点的形状和尺寸分布的影响。观察到样品的低温PL 谱线有明显蓝移（87meV），Ge量子点的PL谱线的半高宽度（FWHM）为46meV，说明采用UHV/CVD生长的多层量子点适合量子光电器件的应用。

超高真空化学气相淀积，多层锗量子点， PL谱

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