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2005年02月25日

【期刊论文】应变Si沟道异质结NMOS晶体管*

陈培毅，史进，黄文涛

半导体学报，2002，23（7）：685～689，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

通过参数调整和工艺简化，制备了应变Si沟道的SiGeNMOS晶体管。该器件利用弛豫SiGe缓冲层上的应变Si层作为导电沟道，相比于体Si器件在1V栅压下电子迁移率最大可提高48.5%。

应变， SiGe，跨导，迁移率

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2005年02月25日

【期刊论文】多层Ge量子点的生长及其光学特性*

陈培毅，邓宁，王吉林，黄文韬，李志坚

半导体学报，2003，24（9）：951～954，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

用超高真空化学气相淀积系统在Si（100）衬底上生长了多层Ge量子点。分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸，研究了量子点层数和Si隔离层厚度对上层Ge量子点的形状和尺寸分布的影响。观察到样品的低温PL 谱线有明显蓝移（87meV），Ge量子点的PL谱线的半高宽度（FWHM）为46meV，说明采用UHV/CVD生长的多层量子点适合量子光电器件的应用。

超高真空化学气相淀积，多层锗量子点， PL谱

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2005年02月25日

【期刊论文】多晶发射极双台面微波功率SiGeHBT*

陈培毅，刘志农，熊小义，黄文韬，李高庆，张伟，许军，刘志弘，林惠旺，许平，钱佩信

半导体学报，2003，24（9）：897～901，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500，并生长了器件级SiGeHBT材料。研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT器件，其性能为：β=60@VCE/IC=9V/300μA，β=100@5V/50mA，BVCBO=22V，ft/fmax=5.4GHz/7.7GHz@10指，3V/10mA多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷,该工艺总共只有6步光刻，CMOS工艺兼容且（因多晶发射极）无需发射极外延层的生长，这些优点使其适合于商业化生产。利用60指和120指的SiGeHBT制作了微波锗硅功率放大器。60指功放在900MHz和315V/012A偏置时在1dB压缩点给出P1dB/Gp/PAE=22dBm/11dB/26.1%。120指功放900MHz工作时给出了Pout/Gp/PAE=33.3dBm （211W）/10.3dB/33.9%@11V/0.52A.

锗硅，异质结双极晶体管，微波功率放大器

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2005年02月25日

【期刊论文】HV/CVD系统Si、SiGe低温掺杂外延*

陈培毅，刘志农，贾宏勇，罗广礼，林惠旺，钱佩信

半导体学报，20001，22（3）：317～321，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

研究了硼烷（B2H6）掺杂锗硅外延和磷烷（PH3）掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系。 B浓度与B2H6流量基本上成正比例关系；生长了B浓度直至1019cm-3的多层阶梯结构，各层掺杂浓度均匀，过渡区约20nm，在整个外延层，Ge组分（x=0.20）均匀而稳定。PH3掺杂外延速率随PH3流量增加而逐渐下降；P浓度在PH3流量约为1.7sccm时达到了峰值（约6×1018cm-3）。分别按PH3流量递增和递减的顺序生长了多层结构用以研究PH3掺杂Si外延的特殊性质。

SiGe， HBT， HV/， CVD

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2005年02月25日

【期刊论文】An ultrahigh vacuum chemical vapor deposition system and its application to growth of nMOSFET and HBT structures

陈培毅， Guangli Luo*， Peiyu Zhu， Peiyi Chen， Zhinong Liu， Huiwang Lin， Peixin Qian

Vacuum 59(2000)927-931，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

An ultrahigh vacuum chemical vapor deposition system suitable for deposition of epitaxial GeSi layers has been constructed. Its reaction chamber is a rectangular quartz tube that is heated by a graphite heater. Using this system, two high-quality structures of Si/Ge0.18 Si0.82/GexSi1-x/Si nMOSFET and n-Si/p+-Ge0.2 Si0.8/n-Si HBT with controllable doping were successfully grown at 600 and 550℃.

UHV/， CVD， GeSi

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