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吴洪才, 孟令杰, *, 王洪波, 陈峰, 闫少林
光电子激光,2004,15(4):137~141,-0001,():
-1年11月30日
组建了偶氮染料的光致变色测试系统,进而用该系统研究了甲基红(MR)溶液和MR/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜的光致异构过程。结果表明:增大激发光的光强与延长激发时间对促进MR分子光致异构具有等效作用,而且MR分子的光致异构过程对周围的空间位阻有很强的依赖性;偶氮分子因光致异构引起的光致变色实质上有光致异构为主的快过程和偶氮分子沿激光偏振方向取向为主的慢过程,取向状态在偶氮染料掺杂聚合物薄膜中可以长时间地保持。
偶氮染料, 光致异构, 光致变色, 光存储
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吴洪才, 王辉, 韦玮, 刘效增
,-0001,():
-1年11月30日
采用AlCl3-CuCl2催化体系合成了聚对苯撑(PPP)。用离子注入法及化学方法对聚对苯撑进行了掺杂,研究了N+离子注入的剂量、能量、温度以及Fech掺杂的浓度、温度、时间对聚对苯撑表面电导的影响。结果表明。离子注入掺杂可使PPP表面电导提高4~5个数量级,而化学掺杂法可将电导提高到0.1-1cm-1。
聚对苯撑, 离子注人, 掺杂, 导电聚合物
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吴洪才, 张志刚, 刘效增, 易文辉
材料研究学报,2004,18(4):268~272,-0001,():
-1年11月30日
利用低能氮离子对聚[(3一乙酰基吡咯-2,5-二)对二甲氨基苯甲烯](Papdmabeq)薄膜进行了离子注入改性(注入能量为10~35keV、剂量为1.2×1016~2.2×1017 ions/cm2),研究了与材料三阶非线性极化率相关的物理量的变化规律。结果表明,氮离子注入使Papdmabeq薄膜的光电特性都发生了显著变化。适当能量和剂量的氮离子注入Papdmabeq薄膜后,薄膜中导电岛的数量增加,在聚合物分子链间形成了大的导电区域,导致其电导率显著提高。当注入离子的能量为25keV、剂量为2.2×1017 ions/cm2时,Papdmabeq薄膜的电导率为9.2×10-4s/cm,比本征态Papdmabeq的电导率提高了5个数量级,且离子注入后薄膜电导率的环境稳定性优于经碘掺杂的Papdmabeq。氮离子注入可以使这种聚合物薄膜在可见光范围内的光吸收大幅度提高,使共轭程度得到显著增强。当注入离子的能量为35keV、剂量为2.2×1017ions/cm2时,Papdmabeq的光学禁带宽度(Eg)由1.626eV降低到1.340eV。
有机高分子材料,, 聚[(, 3-乙酰基毗咯-2,, 5-二), 对二甲氨基苯甲烯],, 低能离子注入,, 光吸收,, 表面电导率,, 光学禁带宽度
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【期刊论文】离子注入聚(22甲氧基252辛氧基)对苯乙炔薄膜的改性研究
吴洪才, 孙建平, 刘效增, 郑建, 韦玮
真空科学与技术,2003,23(3):208~201,-0001,():
-1年11月30日
采用能量为(10~35) keV,剂量为(310×1015~418×1017)ions/cm2的氮离子(N+)对聚(22甲氧基252辛氧基)对苯乙炔(PMOCOPV)进行离子注入改性。PMOCOPV薄膜的电导率随注入离子能量和剂量的增加而迅速提高。当注入N+的能量为35keV,剂量为418×1017ions/cm2时,PMOCOPV薄膜的电导率为01096S/cm,比本征态的电导率提高了7个数量级。通过超高阻测试仪研究了PMOCOPV薄膜表面电导率与温度的关系,发现N+注入PMOCOPV薄膜的电导活化能为01156eV。离子注入PMOCOPV薄膜的电导率的环境稳定性优于I2和FeCl3掺杂的PMOCOPV。对离子注入PMOCOPV薄膜的导电机理进行了初步探讨。
离子注入, 聚(, 22甲氧基252辛氧基), , 对苯乙炔, 电导率, 电导活化能
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吴洪才, 孙建平, 李宝铭, 应祖金
高等学校化学学报,2004,25(2):372~375,-0001,():
-1年11月30日
将4 4’2二氨基三苯甲烷(DTM)单体与均苯四甲酸酐(PMDA)进行缩聚反应, 再与对2硝基苯基重氮氟硼酸盐进行重氮偶合反应,然后经酰亚胺化合成了侧链含偶氮苯发色团的聚酰亚胺非线性光学材料(NLOPI)。通过红外光谱对产物进行了结构表征。对产物的紫外2可见吸收光谱研究发现,在330和490nm处出现侧链偶氮苯发色团的特征吸收。通过简并四波混频方法(DFWM)测定侧链含偶氮苯发色团的聚酰亚胺薄膜的三阶非线性极化率V(3)=4158×10-18m2W. 在DFWM中,前向泵浦光I f和探测光Ip是主要的写入光,而后向泵浦光Ib是主要的读出光。证实了光致偶氮分子的顺反异构能够导致光信息存储的特性。
偶氮苯发色团, 聚酰亚胺, 三阶非线性光学, 三阶非线性极化率, 光信息存储
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