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2009年02月19日

吴正云，孔令民，蔡加法，林雪娇，杨克勤，沈文忠

发光学报，2002，12（6）：549～553，-0001，（）：

-1年11月30日

分别用光致发光谱（PL）、光伏谱（PV）及时间分辨谱（TRPL）的方法，测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱，发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大，但单量子阱的半高宽随着温度的升高增大很快，这是由激子2声子耦合引起的。通过时间分辨谱研究发现了量子阱子能级之间的跃迁，多量子阱的发光寿命明显比单量子阱的长。我们利用形变势模型对量子阱的能带进行了计算，很好地解释了实验结果。

InGaAs/， GaAs，应变量子阱，形态势模型，时间分辨谱

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2009年02月19日

【期刊论文】自组织生长InAs量子点的发光性质研究

吴正云，蔡加法，孔令民，陈主荣，牛智川

厦门大学学报（自然科学版），2003，11（6）：732～735，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

通过对加InGaAs覆盖层的InAs自组织生长量子点的变温光致发光谱以及时间分辨谱的研究，发现低温下量子点的发光强度和光生载流子的寿命不变；中间温度区载流子寿命随温度升高而变大；更高温度时，发光强度和载流子寿命均随温度升高而快速下降.

自组织生长InAs量子点， InGaAs覆盖层，光致发光，瞬态荧光谱，寿命

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2009年02月19日

【期刊论文】自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究

吴正云，孔令民，蔡加法，陈主荣，牛智川

量子电子学报，2003，4（2）：208～212，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

在GaAs（100）的衬底上，采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5ML的InAs层。通过原子力显微镜（AFM）观察，证实已在InAs层中形成量子点。采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比，分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程，较好地解释了实验结果

InAs量子点，浸润层，时间分辩谱

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2009年02月19日

【期刊论文】不同退火温度下金属/4H-SiC Schottky势垒高度的研究

吴正云，杨克勤，陈厦平，杨伟锋，孔令民，蔡加法，林雪娇，

量子电子学报，2005，4（2）：251～255，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜（Ag，Gu，Ni，Cr）形成Schottky接触，研究了不同温度退火对Schottk势垒高度的影响。通过对样品的I-V测试结果的拟合，得到各金属/4H-SiCSchottky接触的势垒高度以及理想因子。在眨向偏压100V下，样品的反向漏电流小于10-10A，说明样品的反向特性良好。样品经过不同温度的退火后，发现Cu、Ni与4H-SiC的势垒高度（SBH）随退火温度的升高而提高，超过某一温度，其整流特性变差；Ag、Cr的SBH在退火后降低。SBH与金属功函数呈线性关系（Or金属除外），斜率为0.11。

光电子学， 4H-SiC， Schottky势垒高度，退火

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