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2009年06月22日

【期刊论文】SiC肖特基势垒二极管的研制

张玉明，张义门，罗晋生

半导体学报，1999，20（11）：1040～1043，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

本文报道了采用电子束热蒸发的方法用铂（P t）做肖特基接触在n型6H2SiC体材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性。对实验结果进行了比较分析，I2V特性测量说明Pt/6H2SiC肖特基二极管有较好的整流特性，热电子发射是其主要的输运机理，理想因子为1123，肖特基势垒高度为1103eV，开启电压约为015V。

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2009年06月22日

【期刊论文】6H-SiCMOS场效应晶体管的研制*

张玉明，张义门，罗晋生

固体电子学研究与进展，2000，20（1）：1～6，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

报道了多晶硅栅6H2SiCMOS场效应器件的制造工艺和器件性能。6H2SiC氧化层的SIMS分析说明在氧化过程中，多余的C以CO的形式释放，铝元素逸出极少，氧化层中因有较多的铝而正电荷密度较大，SiC的氧化速率和掺杂类型关系不大。器件漏电流都有很好的饱和特性，最大跨导为0.36mS/mm，沟道电子迁移率约为14cm2/V.s，但串联电阻效应明显。

碳化硅，场效应晶体管，器件工艺，二次离子质谱分析

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西安电子科技大学，陕西

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