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2007年09月20日

李肈基，李泽宏，李肇基，张波，方健

物理学报第53卷第2期2004年2月1000-3290/2004/53(02)/0561-05 / ACTA PHYSICA SINICA VOL. 53, NO. 2 FEBRUARY, 2004 c 2004 Chin. Phys. Soc.，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

提出非均匀沟道MOS 辐照正空间电荷迁移率模型. 借助镜像法导出沟道电离杂质与辐照正空间电荷的二维场和二维互作用势的分布,由此给出非均匀n沟和p沟的迁移率表示式,其解析解与二维仿真值十分吻合.还借助二维仿真器计算均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率的变化值,其值和文献[2,3]实验数据一致.

非均匀沟道MOS，镜像法，二维互作用势

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2007年09月20日

【期刊论文】低能量He离子注入局域寿命控制L IGBT的实验研究

李肈基，方健，唐新伟，李肇基，张波

半导体学报第25卷第9期2004年9月/CHINESE JOURNAL OF SEM ICONDUCTORS Vol. 25, No. 9, Sep. , 2004，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

提出了一种采用低能量大剂量He 离子注入局域寿命控制的高速L IGBT, 并对其进行了实验研究. 粒子辐照实验结果显示与常规的L IGBT 相比较, 该器件的关断时间和正向压降的折中关系得到了改善. 同时研究了当局域寿命控制区位于p+-n结附近, 甚至在p+阳极内时, 该器件的正向压降和关断时间. 结果显示当局域寿命控制区在p+阳极内时, 仍然对关断时间和正向压降有影响.

L IGBT，局域寿命控制， He离子注入

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李肈基邀请

电子科技大学，973，863首席科学家

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