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2005年11月18日

熊绍珍， ZHANG Xiao-dan， ZHAO Ying， ZHU Feng， WEI Chang-chun， SUN Jian， HOU Guo-fu， XUE Jun-ming， GENG Xin-hua， XIONG Shao-zhen

人工晶体学报，2004，33（4）663～666，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

本文主要研究了用VHF-PECVD方法制备的不同辉光功率条件下系列硅薄膜样品。喇曼测试结果显示：在不同硅烷浓度（SC）条件下，非晶到微晶的过渡区发生在不同的功率点；暗电导随晶化率也体现出不同的变化，此结果表明不同SC、不同功率制备样品的结构特性和电学特性的内在规律是不同的；另外，扫描电子显微镜的测试结果表明样品的表面呈“菜花”状和剖面为柱状的结构特征。

甚高频等离子体增强化学气相沉积，过渡区，微区喇曼光谱，扫描电子显微镜