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2005年11月18日

熊绍珍， ZHANG Xiao-dan， ZHAO Ying， ZHU Feng， WEI Chang-chun， SUN Jian， HOU Guo-fu， XUE Jun-ming， GENG Xin-hua， XIONG Shao-zhen

人工晶体学报，2004，33（4）663～666，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

本文主要研究了用VHF-PECVD方法制备的不同辉光功率条件下系列硅薄膜样品。喇曼测试结果显示：在不同硅烷浓度（SC）条件下，非晶到微晶的过渡区发生在不同的功率点；暗电导随晶化率也体现出不同的变化，此结果表明不同SC、不同功率制备样品的结构特性和电学特性的内在规律是不同的；另外，扫描电子显微镜的测试结果表明样品的表面呈“菜花”状和剖面为柱状的结构特征。

甚高频等离子体增强化学气相沉积，过渡区，微区喇曼光谱，扫描电子显微镜

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2005年11月18日

【期刊论文】有机发光二极管矩阵显示屏的驱动电路的研究*

熊绍珍， XieW eiliang， Xiong Shao zhen， Wang Zongpan， Liu Enfeng， Ren Liru， Wu Chunya Zhao Ying， Wang Jun ong

光电子、激光，1999，10（3）：200～202，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

本文分析了有机发光二极管（OL ED）的结构和驱动特性，对现行LED驱动电路予以改进，提高了电路驱动电压，成功地获得了对OLED（40×7）的驱动。

有机发光二极管 (， OL ED)，，驱动电路，寻址

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2005年11月18日

【期刊论文】聚合物发光二极管中可逆的不稳定行为*

熊绍珍， LIU En-feng， XIONG Shao-zhen， ZHAO Ying， XIE Wei-liang， WU Chun-ya， ZHOU Zhen-hua， HU Jing-kang， ZHANG Wen-wei， SHEN Jin-yuan， CHEN Jian-sheng， ZHANG Yuan-yue， and ZHANG LI-zhu

半导体学报，2000，21（6）：581～585，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

研究了存在于聚合物发光二极管（PL ED）中的一种可逆的“负阻”现象及短期衰退行为.当加在PLED上的正向偏压大于10V之后，其电流和发光强度将在某偏压下出现突然的转折，即电流或光强骤增而器件上压降减小。“负阻”现象将随测量次数的增加而逐渐消失。采用CCD摄像头摄取发光象素上发光的变化情况的图像，发现光强的突变与电流的突变是相对应的。对以不同极性脉冲偏置观察发光光强的短期衰退情况时发现，反向偏置有助于抑制正向的发光衰退行为。我们初步认为这些现象可能与PLED中存在的缺陷态及其上电荷的填充状况有关。

有机发光二极管，负阻效应，可恢复的短期衰退，界面处的缺陷

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2005年11月18日

【期刊论文】有机发光器件中缺陷态行为表现*

熊绍珍， XIONG Shao-zhen， WU Chuan-ya， HAO Yun， CHEN You-su， YANG Hu I-dong，， ZHOU Zhen-hua， ZHANG LI-zhu

光电子. 激光，2002，13（5）：446～449，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

对有机发光二极管（OL ED）的I2V特性曲线，用有内建电场Ei的修正F2N模型，或陷阱电荷限制电流（TCL）模型进行了模拟分析，均观察到缺陷态对器件特性的影响。对修正F2N模型拟合，Ei不是常数而是随电场变化的；对满足TCL 模型的OLED器件，其I2V特性呈现类似于无机半导体器件中的“迟滞回线”状，而且随测试次数的变化呈现可恢复的变化。这些均说明OLED中存在着缺陷态。用缺陷态上电荷填充状态的变化对上述现象进行了解释。

有机发光二极管（OL ED）， "，迟滞回线"，效应，缺陷态， F2N隧穿模型，陷阱电荷限制电流 (， TCL)，

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2005年11月18日

【期刊论文】聚合物发光器件中输运特性的模拟分析*

熊绍珍， XIONG Shao-zhen， ZHAO Ying， WU Chun-ya， HAO Yun， WANG Yue， CHEN You-su， YANG HuI-dong， and ZHOU Zhen-hua， YU Gang

半导体学报，2001，22（9）：1171～1181，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现，被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和“迟滞回线”状场致漂移的伏安特性。模拟分析表明，一种反向势垒的存在及其击穿，应是引起负阻现象的原因。缺陷态的存在及其电荷填充的变化，是导致I-V特性曲线随偏压扫描方向变化的主要原因。而低场下的接触性能决定着发光二级管载流子的输运性质：若为非欧姆接触，则I-V曲线可用F-N隧穿模型来描述；若为欧姆接触，则应用陷阱电荷限制电流（TCL ）模型来描述。

聚合物发光二极管，负阻现象，反向势垒， F2N隧穿模型，陷阱电荷限制电流 (， TCL)，模型

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