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2005年11月18日

【期刊论文】聚合物发光器件中输运特性的模拟分析*

熊绍珍， XIONG Shao-zhen， ZHAO Ying， WU Chun-ya， HAO Yun， WANG Yue， CHEN You-su， YANG HuI-dong， and ZHOU Zhen-hua， YU Gang

半导体学报，2001，22（9）：1171～1181，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现，被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和“迟滞回线”状场致漂移的伏安特性。模拟分析表明，一种反向势垒的存在及其击穿，应是引起负阻现象的原因。缺陷态的存在及其电荷填充的变化，是导致I-V特性曲线随偏压扫描方向变化的主要原因。而低场下的接触性能决定着发光二级管载流子的输运性质：若为非欧姆接触，则I-V曲线可用F-N隧穿模型来描述；若为欧姆接触，则应用陷阱电荷限制电流（TCL ）模型来描述。

聚合物发光二极管，负阻现象，反向势垒， F2N隧穿模型，陷阱电荷限制电流 (， TCL)，模型

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2005年11月18日

【期刊论文】辉光功率对VHF-PECVD制备的硅基薄膜特性的影响

熊绍珍， ZHANG Xiao-dan， ZHAO Ying， ZHU Feng， WEI Chang-chun， SUN Jian， HOU Guo-fu， XUE Jun-ming， GENG Xin-hua， XIONG Shao-zhen

人工晶体学报，2004，33（4）663～666，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

本文主要研究了用VHF-PECVD方法制备的不同辉光功率条件下系列硅薄膜样品。喇曼测试结果显示：在不同硅烷浓度（SC）条件下，非晶到微晶的过渡区发生在不同的功率点；暗电导随晶化率也体现出不同的变化，此结果表明不同SC、不同功率制备样品的结构特性和电学特性的内在规律是不同的；另外，扫描电子显微镜的测试结果表明样品的表面呈“菜花”状和剖面为柱状的结构特征。

甚高频等离子体增强化学气相沉积，过渡区，微区喇曼光谱，扫描电子显微镜

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南开大学，天津

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