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2005年11月18日

【期刊论文】甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si：H薄膜中氧污染的初步研究*

熊绍珍， Yang Hui-Dong)))+， Wu Chun-Ya)， Zhao Ying)， Xue Jun-Ming)， Geng Xin-Hua)， Xiong Shao-Zhen)

物理学报，2003，52（11）：2866～2869，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

对不同的本底真空条件下，采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅（μc-Si：H）薄膜中的氧污染问题进行了比较研究。对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明：μc-Si：H 薄膜中，氧以Si-O，O-O和O-H三种不同的键合模式存在，不同的键合模式源自不同的物理机理。μc-Si：H 薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示：沉积过程中氧污染程度的不同，对μc-Si：H 薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响；而不同氧污染对μc-Si：H 薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅（a-Si：H）薄膜。

氢化微晶硅薄膜，甚高频等离子体增强化学气相沉积，氧污染