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2005年11月18日

熊绍珍， XIONG Shao-zhen， ZHAO Ying， WU Chun-ya， HAO Yun， WANG Yue， CHEN You-su， YANG HuI-dong， and ZHOU Zhen-hua， YU Gang

半导体学报，2001，22（9）：1171～1181，-0001，（）：

-1年11月30日

对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现，被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和“迟滞回线”状场致漂移的伏安特性。模拟分析表明，一种反向势垒的存在及其击穿，应是引起负阻现象的原因。缺陷态的存在及其电荷填充的变化，是导致I-V特性曲线随偏压扫描方向变化的主要原因。而低场下的接触性能决定着发光二级管载流子的输运性质：若为非欧姆接触，则I-V曲线可用F-N隧穿模型来描述；若为欧姆接触，则应用陷阱电荷限制电流（TCL ）模型来描述。

聚合物发光二极管，负阻现象，反向势垒， F2N隧穿模型，陷阱电荷限制电流 (， TCL)，模型

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2005年11月18日

【期刊论文】有机发光器件中缺陷态行为表现*

熊绍珍， XIONG Shao-zhen， WU Chuan-ya， HAO Yun， CHEN You-su， YANG Hu I-dong，， ZHOU Zhen-hua， ZHANG LI-zhu

光电子. 激光，2002，13（5）：446～449，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

对有机发光二极管（OL ED）的I2V特性曲线，用有内建电场Ei的修正F2N模型，或陷阱电荷限制电流（TCL）模型进行了模拟分析，均观察到缺陷态对器件特性的影响。对修正F2N模型拟合，Ei不是常数而是随电场变化的；对满足TCL 模型的OLED器件，其I2V特性呈现类似于无机半导体器件中的“迟滞回线”状，而且随测试次数的变化呈现可恢复的变化。这些均说明OLED中存在着缺陷态。用缺陷态上电荷填充状态的变化对上述现象进行了解释。

有机发光二极管（OL ED）， "，迟滞回线"，效应，缺陷态， F2N隧穿模型，陷阱电荷限制电流 (， TCL)，

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2005年11月18日

【期刊论文】甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si：H薄膜中氧污染的初步研究*

熊绍珍， Yang Hui-Dong)))+， Wu Chun-Ya)， Zhao Ying)， Xue Jun-Ming)， Geng Xin-Hua)， Xiong Shao-Zhen)

物理学报，2003，52（11）：2866～2869，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

对不同的本底真空条件下，采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅（μc-Si：H）薄膜中的氧污染问题进行了比较研究。对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明：μc-Si：H 薄膜中，氧以Si-O，O-O和O-H三种不同的键合模式存在，不同的键合模式源自不同的物理机理。μc-Si：H 薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示：沉积过程中氧污染程度的不同，对μc-Si：H 薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响；而不同氧污染对μc-Si：H 薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅（a-Si：H）薄膜。

氢化微晶硅薄膜，甚高频等离子体增强化学气相沉积，氧污染

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2005年11月18日

【期刊论文】聚合物发光二极管中可逆的不稳定行为*

熊绍珍， LIU En-feng， XIONG Shao-zhen， ZHAO Ying， XIE Wei-liang， WU Chun-ya， ZHOU Zhen-hua， HU Jing-kang， ZHANG Wen-wei， SHEN Jin-yuan， CHEN Jian-sheng， ZHANG Yuan-yue， and ZHANG LI-zhu

半导体学报，2000，21（6）：581～585，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

研究了存在于聚合物发光二极管（PL ED）中的一种可逆的“负阻”现象及短期衰退行为.当加在PLED上的正向偏压大于10V之后，其电流和发光强度将在某偏压下出现突然的转折，即电流或光强骤增而器件上压降减小。“负阻”现象将随测量次数的增加而逐渐消失。采用CCD摄像头摄取发光象素上发光的变化情况的图像，发现光强的突变与电流的突变是相对应的。对以不同极性脉冲偏置观察发光光强的短期衰退情况时发现，反向偏置有助于抑制正向的发光衰退行为。我们初步认为这些现象可能与PLED中存在的缺陷态及其上电荷的填充状况有关。

有机发光二极管，负阻效应，可恢复的短期衰退，界面处的缺陷