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2005年07月19日

【期刊论文】The effect of annealing on the electrochromic properties of microcrystalline NiOx

闫鹏勋， S.R. Jiang *， B.X. Feng， P.X. Yan， X.M. Cai， S.Y. Lu

Applied Surface Science 174(2001)125-131，-0001，（）：

-1年11月30日

The effect of annealing on the electrochromic (EC) properties of nickel oxide (NiOx, x>1) films prepared by reactiverf sputtering is studied with electrochemical measurements, optical transmittance analysis, scanning tunneling microscope (STM), X-ray diffraction (XRD) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Research results show that EC properties of NiOx films can be changed greatly by annealing. The mechanism for the change of electrochromic properties was discussed in details.

NiOx films， Annealing， Electrochromic properties

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2005年07月18日

【期刊论文】工艺参数对阳极弧放电等离子体制备镍纳米粉的影响

闫鹏勋，魏智强，，温贤伦，王君，吴志国，徐建伟，吴现成

稀有金属材料与工程，33（3）：305～308，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

在Ar惰性保护气氛中，采用阳极弧放电等离子方法用自行研制的装置制备出了高纯Ni纳米粉末。研究了在制备过程中电弧电流、气体压力等工艺参数对纳米粉产率及粒度的影响。利用XRD、TEM 对制得的样品的形貌、晶体结构、粒度及其分布进行测定。结果表明，适当控制某些工艺参数就能制取粒径范围在20nm～100nm的纳米粉，在其它工艺参数不变条件下，气压升高或电弧电流增大，都会使粒度增大，产率提高。

阳极等离子体，纳米粉，粒度，工艺参数

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2005年07月18日

【期刊论文】磁过滤等离子体制备TiN薄膜中沉积条件对薄膜织构的影响①

闫鹏勋，张玉娟，，吴志国，张伟伟，李鑫，阎鹏勋，刘维民，薛群基

中国有色金属学报，2004，14（8）：1265～1268，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

在室温条件下，利用自行设计的平面“S”形磁过滤等离子体设备，在（111）面单晶硅上制备TiN薄膜，通过改变基底偏压和反应气体成分，即通过改变氮气和氩气的气体流量来改变沉积离子的能量和密度，从离子轰击的角度研究了沉积条件对TiN薄膜织构的影响。对薄膜的表面形貌进行观察，（θ～2θ）和1.5°掠入射2种X射线衍射方法对薄膜晶体结构和晶面取向进行了分析，对薄膜进行了电子衍射研究。结果显示磁过滤等离子制备的TiN薄膜表面平整光滑，颗粒尺寸为20～70nm，且基底偏压和氩气流量的增大促使薄膜发生（111）面的择优取向，且（111）晶面与膜表面平行，而在高氩气流量的情况下，（200）和（220）面在薄膜平面也发生了定向排列。

氮化钛，磁过滤等离子体，薄膜织构

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2005年07月18日

【期刊论文】类金刚石涂层在不同载荷和湿度下的摩擦特性

闫鹏勋，韩修训，阎鹏勋，阎逢元，刘维民

摩擦学学报，23（1）：5～9，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

利用磁过滤阴极弧等离子体沉积装置在单晶硅基底上制备了类金刚石涂层，采用原子力显微镜和纳米压痕仪测定了其表面形貌及硬度，在DF2PM型动2静摩擦系数精密测定仪上考察了涂层在不同载荷及湿度下同GCr15钢对摩时的摩擦性能。结果表明，在不同环境湿度条件下DLC涂层的摩擦性能明显不同，这主要归因于转移膜形成机理的不同；在3N载荷下，DLC涂层同GCr15钢对摩时的摩擦系数相对较小，且较为稳定；当环境湿度增大至100%时，摩擦系数显著增大，并发生类似于含氢类金刚石涂层的灾难性磨损。

磁过滤等离子体，类金刚石涂层，摩擦性能

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2005年07月18日

【期刊论文】纳米Cu3 N薄膜的制备与性能*

闫鹏勋，吴志国，张伟伟，白利峰，王君，阎鹏勋†

物理学报，2005，54（4）：1687～1692，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

采用柱状靶多弧直流磁控溅射法，100℃基底温度下在玻璃衬底上制备了纳米氮化铜（Cu3N）薄膜。用X射线衍射研究了不同氮气分压对Cu3N薄膜晶体结构及晶粒尺寸的影响。结果显示薄膜由Cu3N和Cu的纳米微晶复合而成，其中Cu3N纳米微晶具有立方反ReO3结构。通过原子力显微镜对薄膜表征显示，膜表面比较光滑，具有较低的粗糙度。X射线光电子能谱对薄膜表面的成分分析表明，Cu3N薄膜表面铜元素同时以+1价和+2价存在。Cu3N的Cu2p3P2，Cu2p1P2及N1s峰分别位于93217，95217和39919eV，Cu2p原子自旋2轨道耦合裂分能量间距为20eV。用台阶仪和四探针方法测量了薄膜的厚度及电阻率，薄膜的沉积速率和电阻率在很大程度上受到氮气分压的调制。

氮化铜薄膜,，多弧直流磁控溅射,，立方反ReO3结构

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