中国科技论文在线

上传时间

2005年07月18日

闫鹏勋，魏智强，，温贤伦，王君，吴志国，徐建伟，吴现成

中国有色金属学报，2003，13（5）：1136～1140，-0001，（）：

-1年11月30日

采用自行研制的实验装置，用阳极弧放电等离子体方法制备了高纯镍纳米粉末。利用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和相应选区电子衍射（ED）、BET吸附等对样品的成分、形貌、晶体结构、晶格常数、粒度及其分布、比表面积进行了分析。建立了关于金属超微粒产生过程的近似模型，分析了纳米粉的形成和生长机制，并对整个工艺过程影响纳米粉性能的各种工艺参数进行了理论探讨。结果表明：所制得的镍纳米粉纯度高，晶格结构与相应的致密体相同，为fcc相结构，平均粒径为47nm，粒径范围在20～70nm，比表面积为14.23m2/g，呈规则的球形链状分布，并发现纳米晶体的晶格常数发生膨胀。

阳极弧等离子体，纳米粉，晶格膨胀，生长机制

38浏览
0点赞
0收藏
0分享
151下载
0

引用

上传时间

2005年07月18日

【期刊论文】脉冲高能量密度等离子体薄膜制备与材料表面改性*

闫鹏勋，阎鹏勋†，杨思泽

装置及工作原理，2002，31（8）：510～516，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

脉冲高能量密度等离子体是一项全新的等离子体材料表面处理和薄膜制备技术。文章主要介绍了作者近几年来在这方面的研究成果。从理论和试验上研究了脉冲高能量密度等离子体的产生机制及其物理性质。研究了脉冲等离子体与材料相互作用的基本物理现象和物理机制。诊断测量表明，脉冲等离子体具有电子温度高（10-100eV）、等离子体密度高（1014-1016cm-3）、定向速度高（～107cmPs）、功率大（104WPcm2）等特点。在制备薄膜时具有沉积速率高，薄膜与基底粘结力强，并兼有激光表面处理、电子束处理、冲击波轰击、离子注入、溅射、化学气相沉积等综合性特点，可以在室温下合成亚稳态相和其他化合物材料。在此基础上，系统地进行了脉冲等离子体薄膜制备和材料表面改性及其机理的研究。在室温下的不同材料衬底上成功地沉积了性能良好的较大颗粒立方氮化硼、碳氮化钛、氮化钛、类金刚石、氮化铝等薄膜材料。沉积薄膜和基底之间存在一个很宽的过渡层，因此导致薄膜与基底有很强的粘结力。经脉冲等离子体处理过的金属材料表面性能得到了极大改善。

脉冲高能量密度等离子体,，薄膜,，表面处理

90浏览
0点赞
0收藏
0分享
331下载
0

引用

上传时间

2005年07月18日

【期刊论文】纳米结构TiN薄膜的制备及其摩擦学性能*

闫鹏勋，张玉娟，，吴志国，阎鹏勋，薛群基

材料研究学报，2004，18（3）：280～284，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

在室温条件下，用磁过滤等离子体装置在单晶硅基底上制备了纳米结构TiN薄膜。分析了薄膜的表面形貌、晶体结构，测量了TiN薄膜的硬度，研究了基底偏压对薄膜结构性能的影响。结果表明，用此方法制备的TiN薄膜表面平整光滑，颗粒尺寸为50～80nm；随着基底偏压的增大薄膜发生（111）面的择优取向。随着偏压的提高，薄膜的颗粒度稍有增大，摩擦系数增大，偏压提高，晶面在较密排的（111）面有强烈的择优取向，硬度也有所增大。在其它条件相同的情况下载荷越大，摩擦系数越大。不起用磁过滤等离子体法制备的纳米结构TiN薄膜具有较低的摩擦系数（0.14～0.25)。

无机非金属材料,，氮化钛,，磁过滤等离子体,，纳米薄膜,，摩擦学

56浏览
0点赞
0收藏
0分享
74下载
0

引用

上传时间

2005年07月18日

【期刊论文】纳米结构TiN薄膜的制备与性能研究

闫鹏勋，吴志国，徐建伟，张玉娟，，李鑫，张伟伟

人工晶体学报，33（6）：974～977，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

利用自行研制的磁过滤等离子体设备，在室温条件下的不锈钢基底上成功地制备了性能良好的纳米结构TiN薄膜。运用原子力显微镜和X射线衍射仪对其结构和形貌进行了表征。利用纳米硬度仪测量了TiN薄膜的硬度和弹性模量。结果显示：沉积的TiN薄膜表面非常平整光滑，致密而无缺陷；硬度远高于粗晶TiN的硬度；TiN晶粒尺寸在30～50nm；沉积过程中在基底上施加的负偏压会影响纳米结构TiN薄膜的结构和性能。

纳米结构氮化钛，薄膜，等离子体

120浏览
0点赞
0收藏
0分享
295下载
0

引用

上传时间

2005年07月18日

【期刊论文】纳米Cu3 N薄膜的制备与性能*

闫鹏勋，吴志国，张伟伟，白利峰，王君，阎鹏勋†

物理学报，2005，54（4）：1687～1692，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

采用柱状靶多弧直流磁控溅射法，100℃基底温度下在玻璃衬底上制备了纳米氮化铜（Cu3N）薄膜。用X射线衍射研究了不同氮气分压对Cu3N薄膜晶体结构及晶粒尺寸的影响。结果显示薄膜由Cu3N和Cu的纳米微晶复合而成，其中Cu3N纳米微晶具有立方反ReO3结构。通过原子力显微镜对薄膜表征显示，膜表面比较光滑，具有较低的粗糙度。X射线光电子能谱对薄膜表面的成分分析表明，Cu3N薄膜表面铜元素同时以+1价和+2价存在。Cu3N的Cu2p3P2，Cu2p1P2及N1s峰分别位于93217，95217和39919eV，Cu2p原子自旋2轨道耦合裂分能量间距为20eV。用台阶仪和四探针方法测量了薄膜的厚度及电阻率，薄膜的沉积速率和电阻率在很大程度上受到氮气分压的调制。

氮化铜薄膜,，多弧直流磁控溅射,，立方反ReO3结构

78浏览
0点赞
0收藏
0分享
244下载
0

引用