中国科技论文在线

上传时间

2006年06月28日

【期刊论文】New Si-H Infrared Absorption Peak Corresponding to the Hydrogen-Defect Shallow Donors in Silicon

孟祥提， Xiang-Ti Meng， Ji-Wu Xiong， Guo-Gang Qin and Yong-Chang Du

Physica Scripta. Vol. 52, 108-112, 1995，-0001，（）：

-1年11月30日

A new Si-H infrared absorption peak at 2016cm-1 is found to be related to the hydrogen-defect shallow donors apart from the 2162cm-1 peak, indicating that the shallow donors do not correspond to only one kind of defect structure. The micro-structure of th

66浏览
0点赞
0收藏
0分享
70下载
0

引用

上传时间

2006年06月28日

【期刊论文】Vacancy-type defects in large-dose neutron-irradiated silicon containing hydrogen

孟祥提， By XIANG-TI MENG

PHILOSOPHICAL MAGAZINE B, 1994, VOL. 70, NO.4, 905-911，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

Vacancy-type defects created by neutron irradiation of floating-zone silicon containing hydrogen with a neutron dose of 1.2x1018cm-2 have been studied by positron lifetime spectroscopy and infrared absorption spectroscopy. The positron-trapping rates due

82浏览
0点赞
0收藏
0分享
41下载
0

引用

上传时间

2006年06月28日

【期刊论文】Gamma-ray radiation and annealing effects of color CMOS image sensors*

孟祥提， Xiang-Ti Meng， Ai-Guo Kang， Xing-Yu Wang and Zheng You

Semicond. Sci. Technol. Vol. 18, No.1 (2003) 1，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

For the color CMOS digital image sensors irradiated with differentγ-ray doses, the average brightness and non-uniformity of the dark output images increase obviously above 0.6kGy. Some lightful regions appear on the images, their brightness and area becom

44浏览
0点赞
0收藏
0分享
39下载
0

引用

上传时间

2006年06月28日

【期刊论文】Comparison of neutron irradiation effects on the electrical performances of SiGe HBT and Si BJT

孟祥提， MENG Xiangti)， WANG Ruipian)， KANG Aiguo)， WANG Jilin)， JIA Hongyong)， CHEN Peiyi)， and Peihsin Tsien)

RARE METALS Vol. 22, No.1, Mar 2003, p. 69，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

The change of electrical performances of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) and Si bipolar junction transistor (BJT) was studied as a function of reactor fast neutron radiation fluence. After neutron irradiation, the collecto

semiconductor technology， SiGe HBT， neutron irradiation， Si BJT， electrical performance

64浏览
0点赞
0收藏
0分享
80下载
0

引用

上传时间

2006年06月28日

【期刊论文】Hydrogen-defect shallow donors in Si

孟祥提， Xiang-Ti Meng， Ai-Guo Kang and Shou-Ren Bai

Jpn. J. Appl. Phys. Part 1. V40, No.4A (2001) 2123-6，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

The influence of different original Si crystals and neutron fluence on formation of the hydrogen-defect shallow donors in neutron-irradiated FZ Si: H2 has been studied. The annealing behavior of neutron-irradiated FZ Si: Ar, neutron-irradiated FZ Si: H2 k

silicon,， neutron radiation,， defects,， resistivity,， infrared absorption spectra

104浏览
0点赞
0收藏
0分享
67下载
0

引用