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2006年06月28日

【期刊论文】Difference in electron- and gamma-irradiation effects on output characteristic of color CMOS digital image sensors

孟祥提， MENG Xiangti)， KANG Aiguo)， ZHANG Ximin)， Li Jihong)， HUANG Qiang)， LI Fengmei)， LIU Xiaoguang)， and ZHOU Hongyu)

RARE METALS. Vol 23, No.2 (2004) 165-170，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

Changes of the average brightness and non-uniformity of dark output images, and quality of pictures captured under natural lighting for the color CMOS digital image sensors irradiated at different electron doses have been studied in comparison to those fr

color CMOS image sensor， electron irradiation， gamma radiation， irradiation damage， output characteristic， Si

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2006年06月28日

【期刊论文】Effects of electron and gamma-ray irradiation on CMOS analog image sensors

孟祥提， Xiang-Ti Meng a， *， Ai-Guo Kang a， Ji-Hong Li a， Hai-Yun Zhang b， Shi-jie Yu b， Zheng You b

X.-T. Meng et al./Microelectronics Reliability xxx (2003) xxx-xxx，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

Changes in the average brightness and non-uniformity of dark output images, and quality of the pictures captured under natural lighting from the black and white (B & W) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) analog image sensors irradiated at dier

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2006年06月28日

【期刊论文】Comparison of neutron irradiation effects on the electrical performances of SiGe HBT and Si BJT

孟祥提， MENG Xiangti)， WANG Ruipian)， KANG Aiguo)， WANG Jilin)， JIA Hongyong)， CHEN Peiyi)， and Peihsin Tsien)

RARE METALS Vol. 22, No.1, Mar 2003, p. 69，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

The change of electrical performances of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) and Si bipolar junction transistor (BJT) was studied as a function of reactor fast neutron radiation fluence. After neutron irradiation, the collecto

semiconductor technology， SiGe HBT， neutron irradiation， Si BJT， electrical performance

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2006年06月28日

【期刊论文】Identification of Defects in Neutron-transmutation-doped Si by Positrons*

孟祥提， MENG Xiang-Ti

SCIENCE IN CHINA (Series A) Vol. 37 No.10 (1994) 1263-1271，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

The V and V2-type defects are dominant in NTD Si irradiated with 6x1016, 3.6xl027 and 1.2x1018 neutrons/cm2. Two distinct annealing stages of V-type defects exist: one at about 200℃ due to the annealing-out of P-V and (V2-O)- complexes; the other at about

positron lifetime spectroscopy,， neutron radiation,， silicon

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2006年06月28日

【期刊论文】New Si-H Infrared Absorption Peak Corresponding to the Hydrogen-Defect Shallow Donors in Silicon

孟祥提， Xiang-Ti Meng， Ji-Wu Xiong， Guo-Gang Qin and Yong-Chang Du

Physica Scripta. Vol. 52, 108-112, 1995，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

A new Si-H infrared absorption peak at 2016cm-1 is found to be related to the hydrogen-defect shallow donors apart from the 2162cm-1 peak, indicating that the shallow donors do not correspond to only one kind of defect structure. The micro-structure of th

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