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2006年06月28日

【期刊论文】Gamma-ray radiation and annealing effects of color CMOS image sensors*

孟祥提， Xiang-Ti Meng， Ai-Guo Kang， Xing-Yu Wang and Zheng You

Semicond. Sci. Technol. Vol. 18, No.1 (2003) 1，-0001，（）：

-1年11月30日

For the color CMOS digital image sensors irradiated with differentγ-ray doses, the average brightness and non-uniformity of the dark output images increase obviously above 0.6kGy. Some lightful regions appear on the images, their brightness and area becom

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2006年06月28日

【期刊论文】Hydrogen-defect shallow donors in Si

孟祥提， Xiang-Ti Meng， Ai-Guo Kang and Shou-Ren Bai

Jpn. J. Appl. Phys. Part 1. V40, No.4A (2001) 2123-6，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

The influence of different original Si crystals and neutron fluence on formation of the hydrogen-defect shallow donors in neutron-irradiated FZ Si: H2 has been studied. The annealing behavior of neutron-irradiated FZ Si: Ar, neutron-irradiated FZ Si: H2 k

silicon,， neutron radiation,， defects,， resistivity,， infrared absorption spectra

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2006年06月28日

【期刊论文】Comparison of neutron irradiation effects on the electrical performances of SiGe HBT and Si BJT

孟祥提， MENG Xiangti)， WANG Ruipian)， KANG Aiguo)， WANG Jilin)， JIA Hongyong)， CHEN Peiyi)， and Peihsin Tsien)

RARE METALS Vol. 22, No.1, Mar 2003, p. 69，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

The change of electrical performances of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) and Si bipolar junction transistor (BJT) was studied as a function of reactor fast neutron radiation fluence. After neutron irradiation, the collecto

semiconductor technology， SiGe HBT， neutron irradiation， Si BJT， electrical performance

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2006年06月28日

【期刊论文】Electron irradiation effects on DC electrical performances of SiGe HBT in a comparison with Si BJT

孟祥提， MENG Xianneti)， ZHANG Ximin)， WANG Jilin)， HUANG Wentiao)， CHEN Peiyi)， JIA Hongyong)， and TSIEN Peihsin)

RARE METALS VoL 23, NO.4, Dec 2004, p.330，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

The DC characteristics of SiGe HBT irradiated at different electron dose have been studied in a comparison with those of Si BJT Generally, Ib and Ib-Ib increase. IeIe-Ico and its+/-transtition Vbe as well as DC curecent gain B decreases with increasing do

semiconductor technology， SiGe HBT， electron irradiation， Si BJT， DC electrical performance

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2006年06月28日

【期刊论文】Effects of neutron irradiation on SiGe HBT and Si BJT devices

孟祥提， XIANG-TI MENG， HONG-WEI YANG， AI-GUO KANG， JI-LIN WANG， HONG-YONG JIA， PEI-YI CHEN， PEI-HSIN TSIEN

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE: MATERIALS IN ELECTRONICS 14-4 (2003) 199-203，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

The change of electrical performance of SiGe HBT and Si BJT is studied after irradiation with 1.3x10 13 and 1.0x10 14 reactor fast neutrons cm-2. Ic andβdecrease, while Ib increases generally with an increasing neutron irradiation fluence for SiGe HBT. Fo

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